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基于LCC/CLC谐振网络的全双工模式无线电能与数据同步传输系统
Simultaneous Wireless Power and Data Transfer System With Full-Duplex Mode Based on LCC/CLC Resonant Network
Yongzhi Jing · Wei Feng · Ke Qiao · Liangtao Yang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月
针对无线电能传输系统对实时全双工数据传输的需求，提出了一种基于高频载波注入的全双工无线电能与数据同步传输（SWPDT）系统。通过在功率传输通道中应用LCC/CLC补偿结构，实现了电压稳压并降低了功率传输对数据传输的干扰。
解读: 该技术主要涉及无线电能传输（WPT）领域，虽然目前阳光电源的主流产品（如PowerTitan储能系统、组串式逆变器及充电桩）主要基于有线连接，但该技术在未来电动汽车无线充电桩及分布式储能系统内部的非接触式信号/能量传输方面具有潜在应用价值。LCC/CLC谐振拓扑的抗干扰能力对提升系统集成度有参考意义...
漂移区长度对LDMOSFET总电离剂量效应的影响
The impact of drift region length on total ionizing dose effects on LDMOSFET
Shun Li · Hongliang Lu · Jing Qiao · Ruxue Yao 等6人 · Solid-State Electronics · 2025年8月 · Vol.227
摘要 漂移区长度的调整增强了横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）在击穿电压和导通电阻等特性设计上的灵活性。然而，其对器件总电离剂量（TID）效应的影响不可忽视。本文研究了两种不同漂移区长度的N沟道LDMOSFET（NLDMOSFET）在经历TID辐照后，阈值电压（Vth）、跨导（gm）、漏极电流（Id）和导通电阻（Ron）的变化情况。研究发现，两种器件在辐照后的Vth和gm偏移几乎相同，而Id和Ron的偏移则表现出明显差异。通过技术计算机辅助设计（TCAD）方法，讨论了栅氧化...
解读: 该LDMOSFET漂移区抗辐照研究对阳光电源车载OBC和电机驱动产品具有重要参考价值。研究揭示长漂移区虽提升耐压和导通特性,但加剧总剂量辐照效应导致阈值电压漂移和导通电阻退化。这为SG系列逆变器和EV驱动系统中的功率MOSFET选型提供设计依据:在高海拔光伏电站、航天储能等辐射环境应用中,需在击穿电...