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一种具有高K/低K介质的4H-SiC MOSFET以改善频率特性
A Novel 4H-SiC MOSFET With High-K/Low-K Dielectric for Improved Frequency Characteristics
Jiaxing Chen · Juntao Li · Lin Zhang · IET Power Electronics · 2025年4月 · Vol.18
本文通过仿真分析并验证了不同场板介质对SiC MOSFET栅-漏电容及高频特性的影响。提出了一种采用高K场板介质与低K栅介质相结合的SiC MOSFET结构，有效降低了栅-漏电容，提升了高频优值，显著改善了器件的高频性能。
解读: 该高K/低K介质SiC MOSFET技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。通过降低栅-漏电容提升高频优值，可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的功率模块设计，提高开关频率，减小磁性元件体积，提升系统功率密度。对电动汽车OBC充电机和电机驱动系统，该技术可降低开关损耗，提升效率和功率密...
带频率自适应预滤波器的锁相环精确建模：关于正反馈效应的研究
Accurate Modeling of PLL With Frequency-Adaptive Prefilter: On the Positive Feedback Effect
Jiaxing Lei · Xiangjun Quan · Shuang Feng · Jianfeng Zhao 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月
带频率自适应预滤波器的锁相环（PLL）能有效抑制输入扰动，但现有文献缺乏对其精确建模的研究，特别是低估了频率自适应（FA）环节的影响。本文提出了一种精确的分析建模方法，重点揭示了频率自适应机制对PLL动态特性的影响及正反馈效应。
解读: 该研究对阳光电源的核心业务至关重要。锁相环（PLL）是光伏逆变器（如SG系列组串式逆变器）和储能变流器（如PowerTitan系列PCS）实现电网同步的关键环节。在弱电网或复杂电网环境下，频率自适应预滤波器能显著提升系统的抗扰动能力，但若建模不准，频率自适应环节引入的正反馈可能导致系统失稳。建议研发...
一种降低晶体管电压应力的改进型三相Buck整流器拓扑
An Improved Three-Phase Buck Rectifier Topology With Reduced Voltage Stress on Transistors
Jiaxing Lei · Shuang Feng · Jianfeng Zhao · Wu Chen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年3月
本文提出了一种改进的三相Buck整流器（3ph-BR）拓扑，旨在降低晶体管的电压应力。通过将传统拓扑中的续流二极管拆分为两个串联二极管，并将输入中性点连接至二极管公共点，有效优化了电路的电压承受能力，提升了系统的可靠性与效率。
解读: 该拓扑优化方案对阳光电源的功率转换技术具有重要参考价值。在光伏逆变器及储能变流器（PCS）的输入级或DC-DC变换环节中，降低功率器件的电压应力有助于选用更低电压等级的开关管，从而降低导通损耗并提升整体转换效率。对于PowerTitan等高功率密度储能系统，该改进型拓扑有助于减小散热设计压力，提升系...
基于浮动N型岛提升沟道载流子迁移率的4H-SiC横向扩散MOSFET技术
Mobility-Boosting Technique With Floating N-Islands for 4H-SiC LDMOS
Yong Gu · Tianchun Nie · Shuqiang Chen · Yawen Xu 等13人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年12月 · Vol.47
针对4H-SiC LDMOS因SiC/SiO₂界面质量差导致沟道载流子迁移率低的问题，本文提出在沟道区嵌入浮动N型岛（FN）作为“载流子库”，调控二维静电势与载流子分布，提升载流子发射效率和有效迁移率，降低比导通电阻。实验显示场效应迁移率最高提升86.7%，R_on,sp降低46.2%，且击穿电压几乎不受影响。
解读: 该技术显著提升SiC MOSFET器件的导通性能与高频开关效率，可直接赋能阳光电源组串式逆变器（如SG3125HV）、ST系列储能双向PCS及PowerTitan系统的主功率模块。尤其适用于高功率密度、高温工况下的新一代SiC功率模块设计，建议在下一代1500V+高压平台产品中联合封装厂开展FN结构...