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功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

1200V沟槽型SiC MOSFET重复雪崩应力下的失效机理研究

Investigation of Failure Mechanisms of 1200 V Rated Trench SiC MOSFETs Under Repetitive Avalanche Stress

Xiaochuan Deng · Wei Huang · Xu Li · Xuan Li 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年9月

本文通过实验研究了非对称沟槽(AT)和双沟槽(DT)结构碳化硅(SiC)MOSFET的重复雪崩耐受能力。研究揭示了不同结构的失效机理:AT-MOSFET主要表现为热诱导疲劳或场氧化层击穿,而DT-MOSFET则表现为电场诱导的栅氧化层退化或击穿。

解读: SiC MOSFET是阳光电源组串式逆变器及PowerTitan系列储能PCS实现高功率密度和高效率的核心器件。1200V SiC器件在复杂工况下的雪崩耐受能力直接决定了系统的可靠性。本文揭示的AT与DT结构失效机理,对阳光电源在器件选型、驱动电路保护设计及功率模块封装优化具有重要指导意义。建议研发...

储能系统技术 储能系统 电池管理系统BMS 储能变流器PCS ★ 5.0

磷酸铁锂电池荷电状态与健康状态的偏差补偿联合估计

Bias-Compensated State of Charge and State of Health Joint Estimation for Lithium Iron Phosphate Batteries

Baozhao Yi · Xinhao Du · Jiawei Zhang · Xiaogang Wu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

准确的荷电状态(SOC)和健康状态(SOH)估计对电池安全运行至关重要。由于磷酸铁锂(LFP)电池开路电压(OCV)曲线平坦,电压测量偏差严重影响估计精度。本文提出了一种偏差补偿算法,实现了LFP电池SOC和SOH的可靠联合估计。

解读: 该研究直接服务于阳光电源储能业务的核心痛点。LFP电池是PowerTitan和PowerStack系列产品的核心,其平坦的OCV曲线在实际应用中极易受传感器偏差影响,导致SOC估算漂移。该偏差补偿算法可集成至阳光电源的BMS(电池管理系统)中,显著提升系统在长周期运行下的SOC/SOH估算精度,减少...

控制与算法 PWM控制 功率模块 故障诊断 ★ 3.0

中央空调系统中变频电机的高效准确损耗模型

A Fast and Accurate Loss Model of Converter-Fed Induction Motor in Central Air-Conditioning System

Jiawei Yi · Chunjiao Li · Dongdong Zhang · Xiang Li 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年3月

针对中央空调系统中变频电机损耗模型粗糙导致能源浪费的问题,本文提出了一种从电源到终端的系统级能量损耗模型。该模型充分考虑了泵类负载特性及变频调速特性,实现了对系统损耗的快速且精确计算,为优化控制策略提供了理论支撑。

解读: 该研究提出的高精度损耗建模方法对阳光电源的工商业储能(PowerStack)及大型地面储能(PowerTitan)系统中的辅助电源管理具有参考价值。在中央空调等工业配套场景中,储能系统常需与变频驱动设备协同工作,通过引入该损耗模型,可优化PCS(储能变流器)在变频负载下的控制算法,提升系统整体能效。...