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功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

具有ScAlN势垒的GaN HEMT实现低于100 Ω/□的方块电阻

Sub-100 Ω/□ sheet resistance of GaN HEMT with ScAlN barrier

Jiangnan Liu · Pat Kezer · Md Tanvir Hasan · Ding Wang · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文报道了采用钪铝氮(ScAlN)势垒层的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT),实现了低于100 Ω/□的极低方块电阻。通过优化ScAlN组分与外延生长工艺,显著提升了二维电子气浓度并降低了接触电阻,从而大幅改善器件的导通特性。透射电子显微镜与X射线衍射分析证实了高质量异质结构的形成。该成果为高性能射频与功率电子器件提供了有前景的技术路径。

解读: 该ScAlN势垒GaN HEMT技术对阳光电源的高频功率变换产品具有重要应用价值。方块电阻低于100Ω/□的特性可显著提升器件开关性能和导通特性,适用于SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中的高频DC-DC环节,有助于提高功率密度。特别是在1500V系统中,该技术可降低开关损耗,提升系统效率。同时...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于ScAlN/ScN电荷陷阱耦合铁电栅堆叠的增强型AlGaN/GaN HEMT

E-mode AlGaN/GaN HEMT with ScAlN/ScN charge trap-coupled ferroelectric gate stacks

Jiangnan Liu · Ding Wang · Md Tanvir Hasan · Shubham Mondal · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种采用ScAlN/ScN电荷陷阱耦合铁电栅堆叠结构的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件通过铁电极化与界面电荷陷阱的协同作用,实现了稳定的增强型操作特性。实验结果表明,该结构有效调控了阈值电压并提升了栅控能力,同时保持了较高的开关比和低关态漏电流。透射电子显微镜分析证实了栅堆叠的高质量界面特性。该方法为实现高性能、高可靠性的GaN基增强型功率器件提供了新途径。

解读: 该ScAlN/ScN栅堆叠GaN HEMT技术对阳光电源功率变换产品具有重要价值。增强型特性和低漏电流的优势可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的效率与可靠性。铁电栅结构创新为开发更高功率密度的三电平拓扑模块提供新思路,特别适用于PowerTitan大型储能系统的高频开关应用。同时,该技...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

分布式光纤传感技术在地下储气井实时监测中的大规模实验验证

Large-Scale Experimental Validation of Real-Time Monitoring in Underground Gas Storage Wells Using Distributed Fiber Optic Sensing

Linqing Luo · Diana Abdulhameed · Gang Tao · Tianchen Xu 等6人 · IEEE Access · 2025年1月

地下储气库UGS对平衡天然气供需至关重要,但面临井变形和气体泄漏等多重风险。现有井检测方法常需暂停运营,导致检测频率低且延迟问题发现。本研究探索分布式光纤传感DFOS技术,集成分布式温度DTS和应变DSS传感,实现不干扰井运行的完整性监测。由于在运行井引入风险不切实际,进行了实验室模拟井筒测试,包括温度变化、气体泄漏检测和加速循环压力测试。设计新型井下光纤电缆用单根光纤测量温度和应变。结果显示DFOS系统可识别注气和采气运营的热事件、旧井套管泄漏,以及新建井套管后水泥泄漏,最低检测泄漏率1.5升...

解读: 该光纤传感技术对阳光电源压缩空气储能和氢能系统具有重要应用价值。阳光在新型储能领域布局压缩空气储能和绿氢项目,需要可靠的气体泄漏监测技术。该DFOS系统的分布式温度和应变监测能力可应用于阳光储能系统的管道和容器监测,实现实时泄漏检测和结构健康评估。结合阳光储能变流器的边缘计算能力,该技术可集成到智慧...