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一种结合Vgs和Vds检测的SiC MOSFET短路保护方法
A Short-Circuit Protection Method for SiC MOSFET Using Combined Vgs and Vds Detection
Jiaming Xie · Jinxiao Wei · Hao Feng · Binbing Wu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
本文提出了一种简单可靠的SiC MOSFET短路保护（SCP）方法，通过同时监测栅源电压（Vgs）和漏源电压（Vds）实现。当Vgs和Vds同时超过预设阈值时触发保护，能有效应对硬开关故障等短路工况。
解读: 随着阳光电源在光伏逆变器和储能系统（如PowerTitan、PowerStack）中大规模应用SiC功率器件以提升功率密度和效率，SiC的短路耐受能力成为系统可靠性的关键瓶颈。该方法通过双参数监测，能更精准地识别短路故障，避免误触发，对于提升组串式逆变器及PCS模块在极端工况下的鲁棒性具有重要参考价...
考虑死区补偿的并联逆变器驱动永磁同步电机差模环流抑制
Differential-Mode Circulating Current Suppression for Paralleled Inverters Fed PMSM Drives Considering Dead Time Compensation
Shichao Zhou · Kan Liu · Jiaming Wu · Kaiqing Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月
并联逆变器广泛应用于永磁同步电机（PMSM）驱动以提升系统容量与可靠性。由于并联单元间的参数差异，差模环流（DMCC）成为关键问题，会导致电流不平衡及效率下降。本文提出了一种低频环流抑制策略，重点考虑了死区效应的影响，以优化系统性能。
解读: 该研究对于阳光电源的大功率组串式逆变器及集中式逆变器的多机并联技术具有重要参考价值。在光伏逆变器和储能变流器（PCS）的大功率化趋势下，多模块并联是提升功率密度的核心手段，但环流问题直接影响功率器件的损耗及寿命。本文提出的死区补偿与环流抑制算法，可直接应用于PowerTitan等大功率储能系统及大型...
考虑三次谐波反电动势的永磁同步电机单相开路故障容错运行谐波转矩抑制方法
Harmonic Torque Suppression Methods for Single-Phase Open-Circuit Fault-Tolerant Operation of PMSM Considering Third Harmonic BEMF
Lijian Wu · Yuliang Guo · Xiaoyan Huang · Youtong Fang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月
本文针对永磁同步电机（PMSM）在单相开路故障下的容错运行，提出了一种抑制二倍频和四倍频转矩脉动的新方法。该方法通过在剩余健康相中注入三次谐波电流，有效抵消了由三次谐波反电动势引起的谐波转矩，提升了电机在故障状态下的运行平稳性。
解读: 该研究聚焦于电机驱动系统的故障容错控制，虽然阳光电源的核心业务侧重于光伏逆变器和储能PCS，但该技术对公司电动汽车充电桩及风电变流器业务具有参考价值。在充电桩功率模块或风电变流器中，若采用电机驱动相关拓扑，该容错控制策略可提升系统在功率器件故障下的可靠性，实现“带病运行”，减少停机损失。建议研发团队...
用于高效中距离无线电能传输的不等间距自谐振螺旋线圈的设计与优化
Design and Optimization of Unequal-Pitch Self-Resonant Helical Coils for High-Efficiency Mid-Range Wireless Power Transfer
Lei Zhu · Laili Wang · Chenxu Zhao · Jiaming Shen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月
本文针对无线电能传输（WPT）系统，提出了一种不等间距自谐振螺旋线圈的设计与优化方法。针对现有线圈建模方法存在的误差大或计算复杂问题，该研究通过优化线圈结构提升了耦合性能，为实现高效中距离无线电能传输提供了理论支撑与设计参考。
解读: 该技术主要涉及无线电能传输（WPT）领域，与阳光电源现有的电动汽车充电桩业务具有一定的技术关联性。虽然目前阳光电源充电桩以有线快充为主，但无线充电是未来电动汽车补能的重要补充方向。该研究提出的线圈优化设计方法，可为公司未来布局大功率无线充电技术提供理论储备，特别是在提升传输效率和线圈小型化设计方面具...
利用趋肤效应的双平行电流迹线宽带隧道磁阻电流传感器
Wideband Tunneling Magnetoresistance Current Sensor With Dual-Parallel Current Trace Utilizing the Skin Effect
Jieqiang Gao · Wei Su · Mengmeng Guan · Jiaming Liu 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
在高集成度电力电子变换器中，非接触式宽带电流传感器对监测运行状态至关重要。本文针对高频下PCB走线趋肤效应对磁场分布的影响，提出了一种利用趋肤效应的双平行电流迹线隧道磁阻（TMR）电流传感器设计，旨在优化传感器的频率响应特性。
解读: 该研究针对电力电子变换器中的高频电流传感技术，对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan储能系统具有重要参考价值。随着功率密度提升和开关频率增加，电流检测的精度与带宽直接影响控制系统的动态响应及保护策略。该传感器方案有助于优化逆变器及PCS内部的电流采样布局，提升在高频工况下的监测准确性。建议研...
一种基于Vgs与Vds联合检测的SiC MOSFET短路保护方法
A Short-Circuit Protection Method for SiC MOSFET Using Combined Vgs and Vds Detection
Jiaming Xie · Jinxiao Wei · Hao Feng · Binbing Wu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
本信函提出了一种简单可靠的短路保护（SCP）方法，称为 $v_{gs}$ 和 $v_{ds}$ - SCP，用于碳化硅（SiC）金属 - 氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），该方法通过同时监测 $v_{gs}$ 和 $v_{ds}$ 来实现。当 $v_{gs}$ 和 $v_{ds}$ 均超过各自的预设阈值时，保护功能启动，从而能够有效抵御硬开关故障（HSF）和负载下故障（FUL）。与现有方法相比，所提出的电路设计结构更简单，且不受封装类型的限制。搭建了一个测试平台来验证所提出的 $v_{g...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项SiC MOSFET短路保护技术具有重要的应用价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商，我们在大功率电力电子变换器中广泛采用SiC MOSFET器件，以实现更高的效率和功率密度。然而，SiC器件的短路耐受能力较传统IGBT更弱，通常仅为3-5微秒，这对保护电路的响...