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排序:
智能化与AI应用 机器学习 故障诊断 地面光伏电站 ★ 4.0

一种用于检测光伏电站虚假数据注入攻击的联邦学习框架

A Federated Learning Framework for Detecting False Data Injection Attacks in Solar Farms

Liang Zhao · Jiaming Li · Qi Li · Fangyu Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年3月

随着光伏系统接入智能电网,网络安全威胁日益严峻。基于数据驱动的机器学习方法在电力电子设备攻击检测中表现优异,但集中式处理存在效率瓶颈。本文提出一种联邦学习框架,在保护数据隐私的同时,实现对光伏电站虚假数据注入攻击的有效检测,提升了系统的安全性与鲁棒性。

解读: 该研究对于阳光电源的iSolarCloud智能运维平台具有重要参考价值。随着光伏电站规模扩大,数据隐私与网络安全成为运维痛点,联邦学习技术可实现分布式模型训练,在不上传原始电站数据的前提下提升逆变器及储能系统的故障诊断与安全防御能力。建议将此框架集成至PowerTitan等大型储能系统及组串式逆变器...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种结合Vgs和Vds检测的SiC MOSFET短路保护方法

A Short-Circuit Protection Method for SiC MOSFET Using Combined Vgs and Vds Detection

Jiaming Xie · Jinxiao Wei · Hao Feng · Binbing Wu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

本文提出了一种简单可靠的SiC MOSFET短路保护(SCP)方法,通过同时监测栅源电压(Vgs)和漏源电压(Vds)实现。当Vgs和Vds同时超过预设阈值时触发保护,能有效应对硬开关故障等短路工况。

解读: 随着阳光电源在光伏逆变器和储能系统(如PowerTitan、PowerStack)中大规模应用SiC功率器件以提升功率密度和效率,SiC的短路耐受能力成为系统可靠性的关键瓶颈。该方法通过双参数监测,能更精准地识别短路故障,避免误触发,对于提升组串式逆变器及PCS模块在极端工况下的鲁棒性具有重要参考价...

控制与算法 三相逆变器 PWM控制 功率模块 ★ 4.0

考虑死区补偿的并联逆变器驱动永磁同步电机差模环流抑制

Differential-Mode Circulating Current Suppression for Paralleled Inverters Fed PMSM Drives Considering Dead Time Compensation

Shichao Zhou · Kan Liu · Jiaming Wu · Kaiqing Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月

并联逆变器广泛应用于永磁同步电机(PMSM)驱动以提升系统容量与可靠性。由于并联单元间的参数差异,差模环流(DMCC)成为关键问题,会导致电流不平衡及效率下降。本文提出了一种低频环流抑制策略,重点考虑了死区效应的影响,以优化系统性能。

解读: 该研究对于阳光电源的大功率组串式逆变器及集中式逆变器的多机并联技术具有重要参考价值。在光伏逆变器和储能变流器(PCS)的大功率化趋势下,多模块并联是提升功率密度的核心手段,但环流问题直接影响功率器件的损耗及寿命。本文提出的死区补偿与环流抑制算法,可直接应用于PowerTitan等大功率储能系统及大型...

功率器件技术 SiC器件 ★ 4.0

一种基于Vgs与Vds联合检测的SiC MOSFET短路保护方法

A Short-Circuit Protection Method for SiC MOSFET Using Combined Vgs and Vds Detection

Jiaming Xie · Jinxiao Wei · Hao Feng · Binbing Wu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

本信函提出了一种简单可靠的短路保护(SCP)方法,称为 $v_{gs}$ 和 $v_{ds}$ - SCP,用于碳化硅(SiC)金属 - 氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),该方法通过同时监测 $v_{gs}$ 和 $v_{ds}$ 来实现。当 $v_{gs}$ 和 $v_{ds}$ 均超过各自的预设阈值时,保护功能启动,从而能够有效抵御硬开关故障(HSF)和负载下故障(FUL)。与现有方法相比,所提出的电路设计结构更简单,且不受封装类型的限制。搭建了一个测试平台来验证所提出的 $v_{g...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项SiC MOSFET短路保护技术具有重要的应用价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商,我们在大功率电力电子变换器中广泛采用SiC MOSFET器件,以实现更高的效率和功率密度。然而,SiC器件的短路耐受能力较传统IGBT更弱,通常仅为3-5微秒,这对保护电路的响...