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拓扑与电路 风电变流技术 可靠性分析 有限元仿真 ★ 4.0

基于等电位导体单元和端部电容等效的环形空心电抗器宽频建模

Wideband Modeling of Toroidal Air-Core Reactors Based on Equipotential Conductor Elements and Terminal Capacitance Equivalence

Yongji Chen · Zhonghao Dongye · Yueying Chen · Jiacheng Wang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月

环形空心电抗器(TAR)因漏磁小、结构紧凑,广泛应用于海上风电等领域。本文提出了一种基于等电位导体单元和端部电容等效的宽频建模方法,旨在快速计算瞬态电压分布,从而评估其结构是否满足绝缘要求,提升高频工况下的设计可靠性。

解读: 该研究对阳光电源的风电变流器及大型储能系统(如PowerTitan系列)中的磁性元件设计具有重要参考价值。海上风电环境复杂,高频瞬态电压对电抗器绝缘性能要求极高。通过引入该宽频建模方法,研发团队可更精准地预测电抗器在复杂工况下的电压分布,优化磁性元件的结构设计,从而提升变流器在高频干扰下的可靠性与使...

拓扑与电路 双向DC-DC 功率模块 ★ 2.0

基于自触发H桥的高频双极性固态线性变压器驱动器

High-Frequency Bipolar Solid-State LTD Based on a Self-Triggering H-Bridge

Yan Mi · Ning Xu · Jiacheng Chen · Zhengmin Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

针对脉冲电磁场肿瘤消融应用,本文提出了一种基于自触发H桥的双极性线性变压器驱动(LTD)电路拓扑。该方案在无需磁芯复位电路的情况下,通过引入特定机制实现了高频双极性脉冲输出,有效提升了脉冲功率变换的效率与紧凑性。

解读: 该文献探讨的固态脉冲功率变换技术与阳光电源核心业务(光伏/储能)存在差异,主要应用于医疗或特种电源领域。然而,其提出的“自触发H桥”及“无需磁芯复位的高频双极性输出”拓扑思路,对阳光电源在研发下一代高频电力电子变换器、提升功率密度及优化磁性元件设计方面具有一定的参考价值。建议研发团队关注其在减少辅助...

拓扑与电路 LLC谐振 SiC器件 DC-DC变换器 ★ 4.0

面向脉冲负载的1-kV碳化硅LLC变换器线性-非线性最优步进控制

Linear–Nonlinear Optimal Step Control for 1-kV SiC LLC Converters With Pulse Loads

Kaiqi Yao · Zhiliang Zhang · Jiacheng Tang · Zhesi Gao 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月

针对脉冲负载需求,本文提出了一种线性-非线性步进负载控制策略。该方法通过计算初始开关频率和占空比,使变换器在从空载到满载的瞬态过程中,以最小的输出电压跌落和最短的调节时间达到满载稳态运行点。

解读: 该研究针对高压SiC LLC变换器的瞬态响应优化,对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及大功率光伏逆变器的DC-DC级具有重要参考价值。随着储能系统在调频等脉冲式负载场景下的应用增加,该控制策略能显著提升系统在负载突变时的电压稳定性,减少输出电压跌落。建议研发团队关注...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

一种基于Qdesat转移检测且具有鲁棒dv/dt抗扰性的高压SiC MOSFET超快短路保护方案

An Ultrafast Short-Circuit Protection for High-Voltage SiC MOSFETs Based on Qdesat-Transfer Detection With Robust dv/dt Noise Immunity

Qiling Chen · Hong Zhang · Dingkun Ma · Tianshu Yuan 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月

本文提出了一种针对高压(>3.3 kV)SiC MOSFET的超快短路保护(SCP)方案。通过引入基于Qdesat转移的传感机制,该方案在面对高dv/dt噪声时表现出极强的抗扰性。该方法利用高dv/dt期间转移的Qdesat间接检测漏源电压降幅,从而判断MOSFET是否处于正常导通状态。

解读: 该技术对于阳光电源的高压功率变换产品至关重要。随着公司在大型地面光伏电站及高压储能系统(如PowerTitan系列)中逐步引入更高电压等级的SiC器件,短路保护的响应速度与抗干扰能力直接决定了系统的可靠性。该方案提出的Qdesat转移检测技术能有效解决高压SiC器件在高频开关下的误触发问题,建议研发...

储能系统技术 储能系统 工商业光伏 ★ 5.0

基于功率型与能量型储能的混合储能系统优化调度与性能评估

Optimized scheduling and performance evaluation of hybrid energy storage systems with power-based and energy-based storage

Jiacheng Guo · Jun Chen · Hao Wuab · Jimin Zengc 等5人 · Applied Energy · 2025年10月 · Vol.395

摘要 能源转型使得混合储能系统(HESS)在工业园区中日益重要。然而,目前仍缺乏系统性的研究来回答为何应在工业园区中实施混合储能系统这一问题。本研究开发了一种集成了超级电容器、锂离子电池、热储罐和冷冻水储冷装置的混合储能系统。提出了一种结合变分模态分解与混合整数线性规划的优化调度方法,该方法充分考虑了功率型储能与能量型储能方式之间的互补特性。从长期效益和不同场景下的短期调度两个角度,对混合储能系统的性能进行了系统性分析。结果表明,与仅采用锂离子电池储能的系统相比,该混合储能系统显著减少了碳排放(...

解读: 该混合储能优化调度技术对阳光电源ST系列PCS及PowerTitan储能系统具有重要应用价值。研究验证了超级电容与锂电池混合配置在工商业场景的经济性(降本5.5%)和减碳效果(减排15.5%),可指导我司PowerTitan方案中功率型与能量型储能的容量配比优化。其基于VMD分解的混合整数线性规划调...

氢能与燃料电池 储能系统 ★ 4.0

小波变换集成的规则型能量管理策略用于PEMFC混合动力汽车:提升燃料电池堆寿命

Wavelet transform-integrated rule-based energy management strategy for PEMFC hybrid vehicles: fuel cell stacks lifetime enhancement

Jiacheng Yuan · Qihao Deng · Wenshang Chen · Xile Wang 等8人 · Energy Conversion and Management · 2025年11月 · Vol.344

摘要 随着氢能与燃料电池混合动力汽车(FCHEVs)的快速发展,对先进的能量管理策略(EMS)提出了日益增长的需求,以平衡能源效率、燃料电池退化以及经济性能之间的关系。然而,传统的基于规则的能量管理策略在动态驾驶工况下往往导致过大的功率波动,并加速燃料电池的老化。为解决上述问题,本文提出了一种集成小波变换的规则型控制策略(WT-RBC),旨在提高FCHEVs的能量效率并减少燃料电池的退化。结果表明,在CLTC驾驶循环下,所提出的策略使氢气消耗量保持在传统基于规则的EMS水平的8%以内,同时显著降...

解读: 该小波变换能量管理策略对阳光电源氢能储能系统及充电桩产品具有重要借鉴价值。其功率波动抑制技术(48.59kW降至6.92kW)可应用于ST系列PCS的多能源协调控制,优化电池与氢储能混合系统的功率分配。小波分解算法可集成至iSolarCloud平台,实现充电站多源协同的预测性维护。燃料电池寿命延长策...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于帽层设计的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能研究

Study on electrical performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistor based on cap layer design

Tieying Zhang · Peng Cui · Xin Luo · Siheng Chen 等11人 · Solid-State Electronics · 2025年2月 · Vol.224

摘要 本研究探讨了不同帽层对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)电学特性的影响。通过对比制备的具有GaN和AlN帽层的AlGaN/GaN HEMTs,发现AlN帽层由于其优异的钝化效果和极化效应,能够提高二维电子气(2DEG)密度,从而获得更高的饱和电流,并使击穿电压从615 V(GaN帽层)提升至895 V(AlN帽层)。Sentaurus TCAD仿真结果验证了上述实验发现,表明AlN帽层器件中形成了更深的三角形量子势阱,导致2DEG电子密度达到1.19 × 10^13 cm^...

解读: 该AlN帽层GaN HEMT技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究显示AlN帽层可将击穿电压提升至895V,梯度帽层结构更达1308V,2DEG密度提升28%。这为我司SG系列光伏逆变器、ST储能PCS及充电桩的GaN功率模块设计提供优化方向:通过改进帽层结构可提升器件耐压等级和导通性能,支持...