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系统并网技术 并网逆变器 故障诊断 智能化与AI应用 ★ 5.0

面向并网光伏系统的可持续非侵入式监测框架开发

Development of a sustainable non-intrusive monitoring framework for grid-connected photovoltaic systems

J.L. Sánchez-Jiménez · G. Jiménez-Castillo · F.J. Muñoz-Rodríguez · J.I. Fernández-Carrasco 等5人 · Solar Energy · 2026年4月 · Vol.308

本文提出一种可持续的非侵入式监测框架,用于实时识别并网光伏系统中的性能退化与潜在故障,无需额外传感器或硬件改造,融合信号处理与轻量化机器学习模型,提升运维效率与系统可靠性。

解读: 该研究高度契合阳光电源iSolarCloud智能运维平台及组串式逆变器(如SG系列)、ST系列PCS的远程诊断与预测性维护需求。非侵入式监测可降低现场部署成本,增强PowerTitan等大型储能电站中光储协同运行的可观可控性。建议将轻量级模型嵌入逆变器边缘计算单元,并与iSolarCloud云端AI...

可靠性与测试 故障诊断 可靠性分析 光伏逆变器 ★ 4.0

基于电致发光成像的C型裂纹光伏组件定量评估

Quantitative assessment of PV modules affected by Type-C cracks using electroluminescence imaging

Nieves Saborido-Barba · J.A. Clavijo-Blanco · Ibrahim Cletus-Swilla · Carmen García-López 等6人 · Solar Energy · 2026年4月 · Vol.308

本文利用电致发光(EL)成像技术对受C型微裂纹影响的光伏组件进行定量表征,建立裂纹面积、分布与功率衰减的统计关联模型,验证其在产线检测与电站运维中的早期故障识别能力。

解读: 该研究直接支撑阳光电源组串式逆变器及iSolarCloud智能运维平台的组件级健康诊断能力。C型裂纹是户外运行中高发隐性缺陷,易导致热斑与发电量损失;阳光电源可将EL量化指标嵌入iSolarCloud故障库,联动ST系列PCS实现IV曲线异常溯源,并为PowerTitan光储系统提供更精准的PR修正...

功率器件技术 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

基于高斯曲线拟合的宽禁带半导体开关损耗评估改进方法

Improved Methodology for Estimating Switching Losses of Wide-Bandgap Semiconductors Using Gaussian Curve Fitting

Briana M. Bryant · Andrew N. Lemmon · Brian T. DeBoi · Christopher D. New 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

准确评估开关损耗对宽禁带半导体硬开关应用至关重要。传统方法通过积分瞬时功率波形计算开关能量损耗,但存在测量误差等问题。本文提出一种基于高斯曲线拟合的改进方法,旨在更精确地评估半导体器件的开关损耗,提升电力电子系统的性能评估精度。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心竞争力。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC等宽禁带器件,开关损耗的精准评估对于提升系统效率、优化散热设计及降低成本至关重要。该高斯拟合方法可集成至研发测试流程中,帮助工程师更准确地量化损耗,从而优化PWM控制...

电动汽车驱动 GaN器件 ★ 4.0

AlGaN背势垒对射频HEMT器件热阻的影响

Impact of AlGaN Back Barrier on the Thermal Resistance of RF HEMTs

L. R. Norman · Z. Abdallah · J. W. Pomeroy · G. Drandova 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年7月

采用低铝组分的 AlGaN 缓冲层可减轻高频 GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)中的短沟道效应。然而,在改善载流子限制和增加 AlGaN 缓冲层热阻之间存在权衡。本研究探讨了 AlGaN 背势垒层热导率对射频 HEMT 整体热阻的影响。采用纳秒时域热反射法测量了铝组分 x 在 0.01 至 0.06 范围内的 GaN 和 AlₓGa₁₋ₓN 的热导率。室温下,当 x 分别为 0.01 和 0.06 时,热导率从 39 W/(m·K)降至 19 W/(m·K),这远低于所测得的 GaN 的 1...

解读: 从阳光电源功率电子技术应用视角来看,这项关于GaN HEMT器件热阻特性的研究具有重要参考价值。GaN高电子迁移率晶体管是新一代光伏逆变器和储能变流器的核心功率器件,其高频特性和功率密度优势正推动我司产品向更高效率、更小体积方向发展。 该研究揭示了AlGaN背势垒层设计中的关键电热权衡问题。数据显...