找到 1 条结果
排序:
功率器件技术
GaN器件
宽禁带半导体
功率模块
★ 4.0
全氮化镓集成共源共栅异质结场效应晶体管
All-GaN-Integrated Cascode Heterojunction Field Effect Transistors
Sheng Jiang · Kean Boon Lee · Ivor Guiney · Pablo F. Miaja 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年11月
本文设计并制造了用于功率开关应用的全氮化镓集成共源共栅(Cascode)异质结场效应晶体管。通过氟处理和金属-绝缘体-半导体(MIS)栅极结构,实现了+2V的阈值电压。该器件通过匹配增强型和耗尽型部分的电流驱动能力,实现了300 mA/mm的输出电流。
解读: 该技术对于阳光电源的组串式逆变器及户用光伏产品具有重要意义。随着光伏逆变器向高功率密度、高开关频率方向演进,GaN器件凭借低开关损耗优势,能显著提升整机效率并缩小体积。全氮化镓集成Cascode结构在提升可靠性的同时,简化了驱动电路设计。建议研发团队关注该技术在微型逆变器及高频DC-DC变换器中的应...