Pranav Achary · Vihar Georgie · Solid-State Electronics · 2025年1月 · Vol.228

摘要 本文研究了具有界面粗糙度（IR）的共振隧穿二极管（RTD）作为物理不可克隆功能（PUF）组件的潜力。将具有IR的RTD与无IR的“平滑”器件进行比较，结果表明，共振峰电流与谷电流Ir/Iv之间的峰值-谷值电流比（PVCR）以及电流均有所降低。此外，IR导致电流-电压（IV）特性中负微分电阻区域（NDR）向更高偏压方向移动。这种扰动源于IR实际上增厚了势垒，从而压缩了量子阱（QW）宽度，并提高了量子阱的基态能量。针对由25个随机生成的具有IR的RTD组成的批次，改变其相关长度LC和粗糙度起伏...

解读: 该共振隧穿二极管界面粗糙度研究对阳光电源SiC/GaN功率器件开发具有启示意义。文中界面粗糙度导致的势垒增厚、量子阱窄化现象,类似于SiC器件中界面缺陷对载流子输运的影响。其峰谷电流比(PVCR)退化机理可指导ST系列储能变流器和SG逆变器中SiC MOSFET的界面质量控制。虽然PUF物理不可克隆...