Ilya Zeltser · Shmuel Ben-Yaakov · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年5月

本文探讨了电压相关电容器的两种定义：总电容Ct(v)=Q/v和局部电容Cd(v)=dQ/dv。分析了两者在电荷注入测量及介电材料特性推导中的适用性，并针对SPICE仿真中如何准确建模非线性电容特性提供了理论依据与方法。

解读: 在阳光电源的高功率密度产品（如PowerTitan储能系统及组串式逆变器）中，广泛应用了SiC/GaN等宽禁带半导体器件，其结电容具有显著的电压相关性。准确的非线性电容建模对于优化高频开关电路的损耗分析、EMI抑制及驱动电路设计至关重要。建议研发团队在仿真平台中引入Cd(v)模型，以提升对高频变换器...