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功率器件技术 SiC器件 功率模块 组串式逆变器 ★ 5.0

一种自动均衡两个并联SiC MOSFET漏极电流的单输入双输出数字栅极驱动IC

Single-Input Dual-Output Digital Gate Driver IC Automatically Equalizing Drain Current Variations of Two Parallel-Connected SiC MOSFETs

Kohei Horii · Katsuhiro Hata · Shin-Ichiro Hayashi · Keiji Wada 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

本文提出了一种单输入双输出数字栅极驱动(DGD)IC,旨在解决两个并联SiC MOSFET在器件特性差异及PCB寄生电感不匹配导致的电流不均问题。该方案首次实现了传感器信号处理、驱动逻辑与控制器的全集成,能够实时检测并自动均衡漏极电流,提升并联系统的可靠性与效率。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。在组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器中,为了提升功率密度,常采用多管并联方案,SiC器件的电流不均是制约可靠性的关键瓶颈。该集成化驱动IC方案能有效解决并联均流难题,减少对PCB布局的严苛要求,降低系统损耗,并提升SiC模块的...

功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种可嵌入IGBT模块的微型PCB电流测量新方法

A New Output Current Measurement Method With Tiny PCB Sensors Capable of Being Embedded in an IGBT Module

Kazunori Hasegawa · Satoru Takahara · Shoji Tabata · Masanori Tsukuda 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年3月

本文提出了一种利用微型PCB电流传感器测量输出电流的新方法,该方法可将传感器直接集成于IGBT模块内部。通过PCB传感器采集IGBT芯片的开关电流,并结合基于FPGA的数字电路进行处理,实现了对功率模块内部电流的高精度监测。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(组串式/集中式逆变器及PowerTitan储能系统)具有极高的应用价值。通过将电流传感器嵌入IGBT模块,可实现更紧凑的功率密度设计,并实时监测芯片级电流,为逆变器及PCS的故障诊断、过流保护和寿命预测提供底层数据支持。建议研发团队关注该技术在下一代高功率密度模块中的集...