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SiC MOSFET非对称开关特性分析
On the Analysis of Asymmetrical Switching of SiC MOSFETs
Yeonju Lee · Hyemin Kang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文深入探讨了碳化硅（SiC）MOSFET的动态特性，特别是开关行为及其非对称性。通过分析开关非对称性的根本原因与物理机制，旨在提升功率变换系统的稳定性，并为实现更精确的开关控制提供理论依据。
解读: SiC MOSFET是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器实现高功率密度与高效率的核心器件。开关非对称性直接影响功率模块的损耗分布、电磁干扰（EMI）及驱动电路设计。深入理解该机制有助于优化阳光电源产品的驱动电路参数，提升高频化设计下的系统可靠性，并降低功率模块在极端工况下...
超结MOSFET栅极振荡的真正起源：器件视角
True Origin of Gate Ringing in Superjunction MOSFETs: Device View
Hyemin Kang · Florin Udrea · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月
随着超结器件尺寸缩小，动态开关过程中的栅极振荡问题日益突出。由于传统三端测量法无法捕捉器件内部电荷重新分配等动态行为，该研究深入分析了超结MOSFET栅极振荡的物理起源，为优化高频开关性能提供了器件层面的理论支撑。
解读: 栅极振荡是影响阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能变流器（PCS）高频开关性能与电磁兼容性（EMC）的关键因素。该研究揭示的器件内部动态机理，有助于研发团队在功率模块选型及驱动电路设计中，更精准地抑制寄生振荡，从而提升逆变器在高频化趋势下的效率与可靠性。建议在下一代高功率密度产品设计中，结...
超结MOSFET中质子与伽马射线辐射对阈值电压漂移及反向恢复特性的比较研究
Comparative Study of Proton and Gamma-Ray Radiation on the Threshold Voltage Shifts and the Reverse Recovery of Superjunction MOSFETs
Sangyun Song · Seunghyun Park · Dong-Seok Kim · Hyemin Kang · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年3月
随着功率半导体器件在高辐射环境中的应用日益广泛，了解不同类型辐射对器件性能的影响至关重要。本研究探究了伽马射线和质子辐照对超结（SJ）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）的影响，着重分析了总电离剂量（TID）效应和反向恢复特性的差异。两种辐照类型都会因总电离剂量效应导致阈值电压发生变化，但这两种辐射特性导致了不同的阈值电压变化模式。此外，在反向恢复特性方面，与伽马射线相比，具有质量和电荷的质子会在器件中形成缺陷并促进电荷复合，从而导致更明显的反向恢复电荷（ ${Q}_{\te...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，该研究对我们在特殊应用场景下的产品可靠性具有重要参考价值。随着光伏、储能系统在航空航天、高海拔地区、极地科考站等辐射环境中的应用日益增多，超结MOSFET作为逆变器和储能变流器核心功率器件的抗辐射性能直接影响系统长期稳定性。 研究揭示的质子与伽马射线辐照差异对我们的器件选...