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不同结构有机发光二极管
OLED）的表征、建模与分析
Huan-Ting Chen · Wallace C. H. Choy · S. Y. Hui · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年1月
本文展示了如何结合光-电-热（PET）理论与光谱功率分布建模，对不同结构的有机发光二极管（OLED）进行表征与建模。通过将光度、电学、热学及色度特性整合至统一模型框架，实现了对不同结构OLED性能的精准评估与分析。
解读: 该文献探讨的PET（光-电-热）多物理场耦合建模方法，在方法论上与阳光电源在功率模块及逆变器热设计中的多物理场仿真具有相似性。虽然OLED本身非公司核心业务，但其提出的跨领域耦合建模思路可借鉴于公司对组串式逆变器及PowerTitan储能系统中功率器件（IGBT/SiC）的热管理与寿命预测。建议研发...
大面积高功率荧光粉涂层白光LED的分析与建模
Analysis and Modeling of High-Power Phosphor-Coated White Light-Emitting Diodes With a Large Surface Area
Huan Ting Chen · Siew-Chong Tan · S.Y. R. Hui · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年6月
本文针对由多个蓝光LED芯片和黄色荧光粉涂层组成的高功率白光LED进行了分析与建模。由于大面积封装结构具有显著的散热需求，文章从蓝光LED芯片的物理特性出发，探讨了其热学行为与光电性能，为高功率器件的可靠性设计提供了理论基础。
解读: 该文章主要关注LED器件的热学建模与可靠性分析，与阳光电源核心的光伏逆变器及储能系统业务关联度较低。然而，其涉及的“多物理场耦合”及“热仿真”方法论，可借鉴用于阳光电源功率模块（如IGBT/SiC模块）的结温预测与散热设计优化。对于PowerTitan等储能系统中的功率器件，通过类似的热建模手段提升...
双色温白光LED系统的非线性调光与相关色温控制
Nonlinear dimming and correlated color temperature control of bicolor white LED systems
Huan-Ting Chen · Siew-Chong Tan · S. Y. Hui · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年12月
本文提出了一种针对双色温白光LED系统的非线性控制方法，旨在精确调节光强与相关色温（CCT）。该系统由2700K暖色光源和5000K冷色光源组成，通过脉冲宽度调制（PWM）技术对各光源亮度进行独立控制，实现了对照明输出的精准非线性调节。
解读: 该文章主要探讨LED照明驱动的非线性控制算法，属于照明电子领域。阳光电源的核心业务聚焦于光伏逆变器、储能系统、风电变流器及充电桩等电力电子设备，主要涉及大功率电能变换与电网交互技术。虽然文章涉及PWM控制技术，但其应用场景与阳光电源的电力能源转换业务关联度极低。建议研发团队重点关注适用于大功率DC-...
红绿蓝发光二极管系统的精确色彩控制
Precise Color Control of Red-Green-Blue Light-Emitting Diode Systems
Huan-Ting Chen · Siew-Chong Tan · Albert T. L. Lee · De-Yan Lin 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年4月
由于红、绿、蓝（RGB）LED在发光和热特性上的复杂差异，实现RGB LED系统的精确色彩控制是一项重大技术挑战。本文提出了一种包含LED器件间耦合效应的非线性模型，用于预测RGB LED系统的色彩，并展示了一种相应的控制方法。
解读: 该文献聚焦于LED照明领域的色彩控制与非线性建模，与阳光电源的核心业务（光伏逆变器、储能系统、风电变流器及充电桩）在应用场景和技术底层逻辑上相关性极低。阳光电源的功率电子技术主要应用于高压、大功率的能量转换与管理，而LED驱动涉及的是小功率、高精度的光电控制。建议研发团队关注该文献中关于“非线性耦合...
基于体接地耦合效应的GaN基MIS-HEMT绝缘层击穿分析
Analysis of Insulator Breakdown Induced by Body-Grounded-Coupling Effect in GaN-Based MIS-HEMT
Cheng-Hsien Lin · Chien-Hung Yeh · Po-Hsun Chen · Ting-Chang Chang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年1月
本研究聚焦于D模式氮化镓基金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS - HEMT）实际运行过程中出现的异常击穿问题。测量统计结果显示，体浮空器件的击穿电压（ ${V}_{\text {BD}}\text {)}$ 达到1653 V；然而，体接地器件在1161 V时就发生了早期击穿。通过高温反向偏置（HTRB）退化机制，发现由于体接触导致沟道层能带存在差异。实验结果表明，该现象与漏致势垒降低（DIBL）相对应，导致沟道提前开启。技术计算机辅助设计（TCAD）仿真表明，与体浮空状态相比，体接地...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于GaN基MIS-HEMT器件绝缘层击穿机理的研究具有重要的工程应用价值。GaN功率器件凭借其高频、高效、高功率密度特性，正成为我们新一代光伏逆变器和储能变流器的核心技术方向，直接影响系统的功率密度提升和成本优化。 该研究揭示的体接地耦合效应对我们的产品设计具有关键...