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功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 PWM控制 ★ 4.0

500 °C 碳化硅(SiC) PWM集成电路

500 °C SiC PWM Integrated Circuit

Saleh Kargarrazi · Hossein Elahipanah · Stefano Saggini · Debbie Senesky 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年3月

本文报道了一种采用4H-SiC双极工艺制造的高温脉宽调制(PWM)集成电路,该电路集成了片上斜坡发生器。测试表明,该电路可在25至500 °C的宽温度范围内稳定工作,PWM工作频率范围为160至210 kHz。

解读: 该研究展示了SiC器件在极端高温环境下的集成控制能力,对阳光电源的核心业务具有重要参考价值。在光伏逆变器和储能变流器(如PowerTitan系列)中,功率模块的散热设计一直是提升功率密度的瓶颈。若能将控制电路与功率器件实现更高程度的耐高温集成,将显著简化散热系统设计,提高系统可靠性。建议研发团队关注...