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功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

SiC MOSFET功率模块中用于电压过冲抑制与动态电流均流的分布式解耦电容设计方法

Design Method of Distributed Decoupling Capacitors for Both Voltage Overshoot Suppression and Dynamic Current Sharing in SiC MOSFET Power Module

Tongyu Zhang · Shuai Xiong · Laili Wang · Hongzhou Gong 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月

碳化硅(SiC)MOSFET因其卓越性能被广泛应用,但其快速开关特性带来的电压过冲限制了工作电压,且多芯片并联时的动态电流不均问题制约了模块性能。本文提出了一种分布式解耦电容设计方法,旨在同时抑制电压过冲并优化功率模块内部的动态电流分配,提升SiC功率模块的可靠性与工作效率。

解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品线(如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器)中功率模块的优化。随着公司产品向更高功率密度和更高开关频率演进,SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该分布式解耦电容设计方法能有效解决SiC模块在高压、高频切换下的电压过冲问题,提升系统可靠性;同时,...