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功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

基于关断延迟时间的SiC MOSFET老化在线结温监测

Turn-OFF Delay Time Based Online Junction Temperature Monitoring for SiC MOSFETs Over Aging

Bolun Zhang · Zheng Wang · Zhixiang Zou · Guanghui Shi 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月

结温(Tj)是监测功率变换器中半导体工作状态的关键指标。本文研究了利用热敏电参数(TSEPs)实现在线结温测量的方法,重点探讨了关断延迟时间(td_off)作为TSEP在SiC MOSFET老化过程中的适用性,为功率器件的健康状态监测提供了有效手段。

解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着SiC MOSFET在组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能变流器中的广泛应用,实现高精度的在线结温监测对于提升系统可靠性至关重要。该方法通过监测关断延迟时间,无需额外传感器即可实时感知器件热应力,有助于优化逆变器在极端工况下的热管理策略,延长产品...