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基于GaN的感应充电DOS脉冲发生器，采用带双极输出和可调堆叠的IGBT隔离模块用于DBD等离子体射流
GaN-Based Inductive Charging DOS Pulse Generator Using IGBT-Isolated Modules With Bipolar Output and Adjustable Stacking for DBD Plasma Jet
Shuo Chen · Shuai Du · Xian Cheng · Yichen Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月
本文提出了一种基于GaN器件的二极管开路开关（DOS）脉冲发生器，用于驱动介质阻挡放电（DBD）等离子体射流。通过利用二极管的快速反向截止特性，该电路实现了超短纳秒脉冲的产生。研究重点在于优化高频运行下的能效，通过引入IGBT隔离模块和可调堆叠技术，解决了传统方案中高功耗和低效率的问题，实现了高频、高压的双极性脉冲输出。
解读: 该研究涉及宽禁带半导体（GaN）与传统IGBT的混合驱动拓扑，主要应用于高频脉冲电源领域。虽然阳光电源目前的核心业务（光伏逆变器、储能PCS、充电桩）主要集中在工频或中高频功率变换，而非等离子体射流驱动，但该文展示的GaN器件在高频开关下的驱动优化及IGBT隔离技术，对阳光电源未来探索更高功率密度、...