作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年1月

本文提出了氮化镓金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（GaN - MISHEMT）中势垒层的解析模型，该模型预测了沟道电荷密度存在限制，即在高栅极电压下沟道电荷密度有望达到一个渐近值，这一特性此前尚未有报道。我们发现，这种特性对诸如铝镓氮（AlGaN）势垒层厚度、组分以及极化诱导电荷密度等器件参数极为敏感。文中提出了量子阱（QW）中电荷饱和的明确关系式，可用于优化GaN - MISHEMT的结构。

解读: 从阳光电源功率变换系统的核心需求来看，这篇关于GaN-MISHEMT器件二维电子气调制极限的研究具有重要的技术指导意义。该研究揭示了AlGaN/GaN异质结构中沟道电荷密度在高栅压下趋于饱和的内在物理机制，这直接关系到我们在光伏逆变器和储能变流器中应用的GaN功率器件的性能边界。 对于阳光电源而言...