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拓扑与电路 光伏逆变器 单相逆变器 多电平 ★ 4.0

单相级联H桥光伏并网逆变器不同功率路由方法的定量比较与分析

Quantitative Comparison and Analysis of Different Power Routing Methods for Single-Phase Cascaded H-Bridge Photovoltaic Grid-Connected Inverter

Siwei Yang · Xing Zhang · Wang Mao · Yuhua Hu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年4月

在单相级联H桥(CHB)光伏并网逆变器中,受辐照度、温度及组件老化影响,各光伏模块输出功率存在差异。当各模块运行于最大功率点(MPPT)时,不均匀的功率分配会导致H桥单元直流侧电压发生漂移。本文对解决该问题的不同功率路由方法进行了定量比较与分析。

解读: 该研究针对级联H桥(CHB)拓扑在光伏应用中的直流侧电压平衡问题,对阳光电源的组串式逆变器及大型地面电站解决方案具有重要的参考价值。随着光伏系统向高压化、多电平化发展,CHB拓扑在提升电能质量和降低谐波方面优势明显。建议研发团队关注文中提到的功率路由策略,以优化逆变器在复杂环境下的MPPT效率及直流...

拓扑与电路 三电平 三相逆变器 并网逆变器 ★ 5.0

并联三电平T型并网逆变器零序环流建模与抑制

Modeling and Elimination of Zero-Sequence Circulating Currents in Parallel Three-Level T-Type Grid-Connected Inverters

Zhangping Shao · Xing Zhang · Fusheng Wang · Renxian Cao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年2月

本文针对并联三电平T型逆变器中复杂的零序环流(ZSCC)问题,分析了其产生路径并建立了等效模型。零序环流会导致电流畸变、功率损耗增加及电流不平衡,本文提出的建模与抑制方法旨在解决这些问题,提升并联系统的运行性能。

解读: 该研究直接关联阳光电源的核心产品线——组串式逆变器及大型集中式逆变器。在光伏电站中,为了提升单机功率密度,常采用多机并联方案,T型三电平拓扑是目前实现高效率与高功率密度的关键技术路径。零序环流的抑制对于提升并联系统的并网电能质量、降低功率器件损耗以及延长设备寿命至关重要。建议研发团队将该建模方法应用...

拓扑与电路 三电平 低电压穿越LVRT 光伏逆变器 ★ 5.0

无变压器三电平光伏逆变器低电压穿越

LVRT)工况下的中点电压分析与控制

Zhangping Shao · Xing Zhang · Fusheng Wang · Renxian Cao 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年3月

LMZVM调制策略在三电平光伏逆变器正常运行时能有效抑制漏电流并维持中点电压平衡。然而,在低电压穿越(LVRT)工况下,中点电压波动显著增大。本文针对该问题进行了深入研究,提出了相应的控制策略以优化LVRT期间的中点电压稳定性。

解读: 该研究直接针对阳光电源核心产品线——组串式及集中式三电平光伏逆变器。在电网故障(如LVRT)期间,中点电压波动直接影响功率器件的应力及输出电能质量。LMZVM策略的优化对于提升阳光电源逆变器在复杂电网环境下的可靠性至关重要。建议研发团队将该控制算法集成至iSolarCloud智能运维平台下的逆变器固...

功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

用于电力电子封装的铜/功能化多壁碳纳米管复合浆料的低温烧结

Low-Temperature Sintering of Cu/Functionalized Multiwalled Carbon Nanotubes Composite Paste for Power Electronic Packaging

Lingmei Wu · Jing Qian · Fusheng Zhang · Jiabing Yu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月

烧结铜因其低温键合和高温工作能力,被视为芯片互连最有前景的方案。本文通过烧结铜浆料及复合材料,实现了高强度的铜-铜接头及IGBT器件封装,进一步优化了现有烧结铜技术的性能,提升了功率电子封装的可靠性。

解读: 该技术直接关联阳光电源的核心产品线,特别是组串式逆变器、集中式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中的功率模块封装。随着功率密度不断提升,IGBT/SiC模块的互连可靠性成为系统寿命的关键瓶颈。该低温烧结技术能有效降低封装应力,提升模块在极端工况下的热循环能力。建议研发部门关注...