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功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

SiC MOSFET并联运行中动态电流平衡的共源电感补偿技术

Common Source Inductance Compensation Technique for Dynamic Current Balancing in SiC MOSFETs Parallel Operations

Boyi Zhang · Ruxi Wang · Peter Barbosa · Qianyi Cheng 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月

在牵引逆变器等高电流应用中,SiC MOSFET常通过并联以提升电流等级,但不对称布局引起的寄生电感差异会导致动态电流不平衡,进而引发器件及系统故障。本文提出了一种共源电感补偿技术,旨在解决并联SiC MOSFET的动态电流不平衡问题,提升功率模块的运行可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)具有重要意义。随着公司产品向更高功率密度演进,SiC器件的大规模并联应用日益增多,动态电流不平衡是制约模块可靠性的关键瓶颈。该补偿技术可直接优化公司功率模块的PCB布局设计与驱动电路,降低开关过程中的电压尖...