Romain Grezaud · Francois Ayel · Nicolas Rouger · Jean-Christophe Crebier · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年1月

本文提出了一种集成死区控制的栅极驱动器。在半桥功率变换器中，死区时间对于防止上下管直通至关重要，但过长的死区会增加续流损耗。针对传统隔离变换器中因数字输入传播延迟失配导致无法安全缩短死区的问题，该驱动器通过特定机制实现了死区的精确优化与控制，从而提升变换效率。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）具有重要意义。随着SiC和GaN等宽禁带半导体在阳光电源产品中的广泛应用，开关频率不断提升，对死区时间的精度要求极高。集成死区控制的驱动器能有效降低开关损耗，提升系统整体转换效率。建议研发团队关注该芯片级集...