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一种具有增强功率和线性性能的AlN/Al_x_Ga1-_x_N/GaN梯度沟道HEMT
An AlN/Al_x_Ga1-_x_N/GaN graded channel HEMT with enhanced power and linearity performance
Xiang Du · Can Gong · Yue Hao · Applied Physics Letters · 2025年2月 · Vol.126
本文报道了一种基于AlN/Al_x_Ga1-_x_N/GaN梯度沟道结构的高电子迁移率晶体管(HEMT),旨在提升器件的功率与线性性能。通过在沟道层引入Al组分渐变的Al_x_Ga1-_x_N缓冲结构,并结合超薄AlN插入层,有效调控了二维电子气分布,增强了载流子输运特性,同时降低了短沟道效应。实验结果表明,该器件在保持高开关比的同时,显著提高了击穿电压、最大电流密度及跨导峰值。此外,线性跨导和栅极电容特性的改善有效提升了器件的线性度与高频稳定性。该梯度沟道设计为高性能射频与功率放大器应用提供了...
解读: 该梯度沟道GaN HEMT技术对阳光电源的功率变换产品具有重要应用价值。通过AlN/AlGaN梯度结构提升的击穿电压和电流密度特性,可显著提高SG系列逆变器和ST系列储能变流器的功率密度。改善的线性度和高频特性有助于优化车载OBC和充电桩的EMI性能。该器件在高压大功率应用场景下的优异开关特性,可支...
一种具有单输入双极性对称输出的软开关无变压器DC-DC变换器
A Soft-Switching Transformerless DC−DC Converter With Single-Input Bipolar Symmetric Outputs
Xiang Zhou · Yue Wang · Laili Wang · Yan-Fei Liu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年8月
本文提出了一种具有单输入双极性对称输出(SIBSO)的软开关无变压器DC-DC变换器。该拓扑能够产生幅值相等的正负输出电压,适用于音频放大器及双极性对称辅助电源等场景。该设计仅需两个开关管,通过软开关技术有效降低了损耗。
解读: 该拓扑结构精简,通过软开关技术提升了转换效率,在阳光电源的辅助电源系统设计中具有潜在应用价值。特别是在光伏逆变器或储能变流器(PCS)内部的驱动电路、采样电路或控制板供电模块中,采用此类高效率、低器件数量的拓扑,有助于进一步优化整机功率密度和散热性能。建议研发团队关注该拓扑在低压辅助电源模块中的可靠...
一种用于高压直流断路器测试的晶闸管反向恢复过程建模新方法
A New Approach to Model Reverse Recovery Process of a Thyristor for HVdc Circuit Breaker Testing
Zhonghao Dongye · Lei Qi · Xiang Cui · Peng Qiu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月
在高压直流断路器测试中,晶闸管常用于产生大电流。然而,晶闸管的反向恢复过程(RRP)会引发严重的过电压问题,威胁系统可靠性。现有模型常忽略电路中的杂散电感,导致精度不足。本文提出了一种考虑杂散电感的新型RRP建模方法,以提升测试系统的可靠性与安全性。
解读: 该研究关注高压直流(HVDC)领域功率器件的瞬态特性与过电压保护,对阳光电源的电力电子测试平台及高压储能系统(如PowerTitan系列)的研发具有参考价值。虽然阳光电源目前产品以IGBT/SiC模块为主,但随着公司在大型储能及高压直流输电配套领域的深入,对功率器件在极端工况下的反向恢复特性及杂散参...
一种用于无线电能传输系统的垂直于功率线圈的金属异物检测方法
Metal Object Detection With Detection Coils Perpendicular to Power Coils for Wireless Power Transfer Systems
Wenxing Zhong · Fei Xiang · Changsheng Hu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月
本文提出了一种无线电能传输(WPT)系统中的金属异物检测(MOD)方法。该方法通过布置垂直于功率线圈的检测线圈,在无异物时感应电压理想为零。当金属异物落入发射端上方时,异物产生的涡流会在检测线圈中感应出电压,从而实现对异物的有效检测。
解读: 该技术主要应用于无线充电领域。虽然阳光电源目前以有线充电桩产品为主,但随着电动汽车无线充电技术的演进,该研究中关于金属异物检测(MOD)的电磁感应原理具有重要的技术储备价值。在未来开发高功率无线充电桩时,该方法可有效提升系统的安全性,防止金属异物导致的发热风险。建议研发团队关注该拓扑结构在复杂电磁环...
关于“用于中点电压反馈的三电平中点钳位变换器改进虚拟空间矢量调制”的评论
Comments on “Improved Virtual Space Vector Modulation for Three-Level Neutral-Point-Clamped Converter With Feedback of Neutral-Point Voltage”
Weidong Jiang · Wei Wang · Mingna Ma · Fei Zhai 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年4月
本文针对Xiang等人提出的三电平中点钳位(NPC)变换器改进虚拟空间矢量调制方法进行了探讨,重点分析了该调制策略中矢量合成存在的潜在问题,并给出了相关的评论与验证结果。
解读: 三电平NPC拓扑是阳光电源组串式光伏逆变器(如SG系列)及储能变流器(如ST系列PCS、PowerTitan)的核心拓扑之一。中点电压平衡控制直接影响输出电能质量及功率器件的应力分布。该文献对虚拟空间矢量调制(VSVM)的深入探讨,有助于研发团队优化调制算法,提升在高压大功率场景下的中点平衡能力,减...
500 kV/25 kA直流断路器关断过程中杂散电感引起的过电压估计
Overvoltage Estimation by Stray Inductances During Turn-off of a 500 kV/25 kA DC Circuit Breaker
Zhonghao Dongye · Lei Qi · Kexin Liu · Xiaoguang Wei 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
本文研究了直流断路器(DCCB)关断过程中的瞬态特性。研究发现,缓冲电路电感以及金属氧化物避雷器(MOV)的内外杂散电感会导致DCCB两端产生显著过电压,该电压可能超过器件额定值。文章提出了相应的过电压估计方法,对高压直流输电及大功率电力电子设备的保护设计具有重要参考价值。
解读: 该研究关注高压直流系统中的杂散电感与过电压保护,对阳光电源的PowerTitan等大型储能系统及高压直流侧设计具有借鉴意义。虽然阳光电源目前产品多为中低压侧,但随着储能系统向更高电压等级(如1500V及以上)发展,功率模块内部及系统级布线的杂散电感控制成为提升系统可靠性的关键。建议研发团队在设计大功...
基于阻抗特性分析的直流微电网孤岛检测速度提升与系统稳定性增强研究
Detecting Speed Improvement and System Stability Enhancement for DC Microgrids Islanding Detection Based on Impedance Characteristic Analysis
Tianling Shi · Hongyi Chen · Boxin Liu · Shiyuan Fan 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年3月
直流微电网的孤岛检测是保障系统安全的关键。正反馈孤岛检测技术因检测速度快、非检测区小而备受关注,但其反馈回路可能影响系统稳定性。本文通过阻抗特性分析,旨在提升直流微电网孤岛检测速度的同时,优化系统稳定性。
解读: 该研究对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及微电网解决方案具有重要参考价值。在直流微电网应用中,孤岛检测的快速性与系统稳定性是核心技术难点。通过阻抗特性分析优化正反馈控制,可直接提升阳光电源PCS产品在离网切换过程中的响应速度与运行可靠性。建议研发团队将该分析方法集成...
用于消除半桥D类音频放大器电源泵升效应的软开关对称双极性输出直流变压器
Soft Switching Symmetric Bipolar Outputs DC-Transformer (DCX) for Eliminating Power Supply Pumping of Half-Bridge Class-D Audio Amplifier
Xiang Zhou · Jianping Xu · Shu Zhong · Yan-Fei Liu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年7月
本文提出了一种用于消除半桥D类音频放大器电源泵升效应的软开关对称双极性输出直流变压器(DCX)。与传统的单向前端DC-DC变换器相比,该DCX显著降低了输出电容需求及半桥电路的电压应力,提升了系统整体效率与可靠性。
解读: 该文献探讨的DCX拓扑主要针对音频放大器的电源泵升问题,虽然其核心技术(软开关、DC-DC变换)与阳光电源的电力电子基础技术同源,但应用场景与公司核心业务(光伏、储能、充电桩)差异较大。在阳光电源的产品线中,类似的双向DC-DC变换技术广泛应用于储能变流器(PCS)及电动汽车充电桩,旨在实现高效的能...
一种无电解电容的半桥D类音频放大器系统及其母线电压泵升抑制技术
An Electrolytic Capacitor-Free Half Bridge Class-D Audio Amplifier System Without Bus-Voltage Pumping
Xiang Zhou · Duo Xu · Yue Wang · Laili Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年8月
传统半桥D类音频放大器(HB-CDAA)存在严重的母线电压泵升问题,导致器件应力增加及THD+N性能恶化。为解决此问题,通常需在输入端并联大容量电解电容。本文提出一种无电解电容的HB-CDAA系统,通过特定拓扑与控制策略消除母线电压泵升,提升系统可靠性与功率密度。
解读: 该文献探讨的“无电解电容”及“母线电压泵升抑制”技术,在电力电子领域具有通用参考价值。虽然该研究针对音频放大器,但其核心思想——通过拓扑优化减少对寿命受限的电解电容依赖,与阳光电源在户用光伏逆变器及充电桩产品中追求高功率密度、长寿命设计的目标一致。建议研发团队关注文中抑制电压泵升的控制逻辑,评估其在...
带同步整流的LLC DC-DC变换器电路参数的精确分析与设计
Accurate Analysis and Design of the Circuit Parameters of LLC DC–DC Converter With Synchronous Rectification
Xiang Zhou · Laili Wang · Yongmei Gan · Huan Luo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年12月
在高负载电流的LLC DC-DC变换器中,同步整流(SR)常用于降低二次侧损耗。漏源电压检测法因其无损、低成本和小体积的优势被广泛应用。然而,随着负载电流增加,SR开关在关断阶段的电压振荡问题日益严重。本文针对该问题进行了深入分析,并提出了电路参数的优化设计方法,以提升变换器效率与可靠性。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心产品线,特别是户用光伏逆变器、组串式逆变器以及储能变流器(PCS)。LLC拓扑是实现高功率密度和高效率的关键,而同步整流(SR)的精确控制是提升整机效率的核心。针对高负载下的电压振荡问题进行优化,有助于提升阳光电源产品在满载工况下的热管理性能和可靠性,减少电磁干扰(EM...
一种用于电动汽车的高效率高功率密度车载低压DC-DC变换器
A High-Efficiency High-Power-Density On-Board Low-Voltage DC–DC Converter for Electric Vehicles Application
Xiang Zhou · Bo Sheng · Wenbo Liu · Yang Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年11月
本文探讨了电动汽车车载低压DC-DC变换器(LDC),其连接高压电池与低压辅助系统。随着车载辅助设备的发展,LDC输出电流需求达到数百安培,导致高导通损耗及严峻的散热挑战。文章提出了一种高效率、高功率密度的LDC拓扑方案,旨在优化热管理并提升整体转换效率。
解读: 该技术对阳光电源的电动汽车充电桩及车载电源业务具有重要参考价值。随着电动汽车向高压平台演进,车载LDC对功率密度和散热性能的要求日益苛刻。阳光电源可借鉴文中提出的高效率拓扑及热管理优化方案,提升充电桩模块的集成度与可靠性。此外,该技术在双向DC-DC变换器设计上的思路,也可与阳光电源现有的储能PCS...
多通道LE-HEMT实现创纪录最高亮度,面向微显示与片上高探测率光电探测器
Multi-Channel LE-HEMT With Highest Luminance in Record Toward Micro-Display and On-Chip High-Detectivity Photodetectors
Jijun Zhu · Fei Wang · Tianci Miao · Kai Cheng 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月
本研究制备了以不同数量的 InGaN 层作为多沟道(MCs)和多量子阱(MQWs)的 AlGaN/GaN 发光高电子迁移率晶体管(LE - HEMT),在 GaN HEMT 外延片上实现了有记录以来的最高亮度。所提出的结构通过将多量子阱与二维电子气沟道直接结合,实现了真正的外延单片集成。研究表明,尽管引入了多沟道,但该结构仍实现了出色的开关比($I_{\text {on}}$/$I_{\text {off}} = 10^{{8}}$)。获得了高达$2.1 \times 10^{{5}}$ cd/...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于AlGaN/GaN异质结构的多通道发光-高电子迁移率晶体管(LE-HEMT)技术,虽然聚焦于微显示和光通信领域,但其底层的GaN功率器件技术与我司在光伏逆变器和储能变流器中的核心技术路线存在显著的协同价值。 该技术实现的108开关比和单片集成能力,展示了GaN器件...