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排序:
功率器件技术
SiC器件
功率模块
可靠性分析
★ 5.0
老化对碳化硅MOSFET温度敏感电参数影响的评估
Evaluation of Aging's Effect on Temperature-Sensitive Electrical Parameters in SiC mosfets
Fei Yang · Enes Ugur · Bilal Akin · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年6月
温度敏感电参数(TSEPs)常用于碳化硅(SiC)MOSFET的结温监测与过温保护。然而,器件老化会干扰TSEPs的准确性,导致结温测量误差。本文全面研究了老化对多种TSEPs的影响,并提出了相应的评估方法,旨在提升功率器件在长期运行中的状态监测精度与可靠性。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC功率器件,提升系统功率密度与效率的同时,如何确保高频高温下的长期可靠性成为关键。本文研究的TSEPs老化补偿技术,可直接应用于iSolarCloud智能运维平台,实现对核心功率模块的在线健康状态(SOH)评估与故障...