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功率器件技术 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 ★ 5.0

一种基于晶闸管结构的低功耗解调电路,用于高可靠性和短路电流抑制

A Thyristor-Structured-Based Low-Power Demodulator Circuit for High Reliability and Short-Circuit Current Reduction

Donggeon Chae · Wanyeong Jung · Kihyun Kim · Wonil Seok 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)器件凭借高开关频率和高功率密度优势,广泛应用于高压电力电子系统。然而,多器件并联系统面临源极电压波动大及驱动电路可靠性挑战。本文提出一种基于晶闸管结构的解调电路,旨在提升驱动可靠性并有效抑制短路电流。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心产品竞争力。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向更高功率密度和更高电压等级(如1500V/2000V系统)演进,SiC器件的应用已成主流。该解调电路提出的短路电流抑制技术,能显著提升驱动电路在极端工况下的鲁棒性,有效降低功率模块失效风险。建议研发团队...