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电动汽车驱动 GaN器件 ★ 4.0

封装型氮化镓HEMT生物传感器及用于脑损伤检测的手持系统

Packaged GaN HEMT biosensor and handheld system for brain injury detection

Rajiv Thakur · Anil Kumar Saini · Nikhil Suri · Dheeraj Kumar Kharbanda · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于封装型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的生物传感器及其集成手持式检测系统,用于快速、灵敏地检测脑损伤相关生物标志物。该器件通过表面功能化实现对目标蛋白的特异性识别,结合紧凑型读出电路,可在临床环境中实现便携式电化学信号采集与分析。实验结果表明,该系统具有高灵敏度、低检测限和良好的选择性,适用于现场即时检测(POCT)场景下的脑损伤早期诊断,为神经创伤的快速评估提供了可行的技术方案。

解读: 该GaN HEMT生物传感器研究虽聚焦医疗领域,但其核心技术对阳光电源GaN功率器件应用具有重要启发。文中展示的GaN器件封装技术、表面功能化处理及高灵敏度信号检测方法,可借鉴至功率模块的热管理与可靠性监测。特别是其紧凑型读出电路与便携式系统设计理念,可应用于SG光伏逆变器和ST储能变流器的智能诊断...