Dhawal Dilip Mahajan · Sayed Ali Albahrani · Raj Sodhi · Takashi Eguchi 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年6月

本文探讨了基于物理的紧凑模型在封装GaN器件中的应用。相比经验模型，物理模型在不同偏置条件下表现出更好的一致性与连续性，能精确描述电流-电压（I-V）和电容-电压（C-V）特性，并有效实现工艺参数与几何尺寸的缩放，为高频功率变换器的设计提供了更可靠的仿真基础。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及充电桩产品中对高功率密度和高效率的追求，GaN器件的应用日益广泛。该物理模型能显著提升电路仿真精度，帮助研发团队在设计阶段更准确地预测高频开关下的损耗与电磁干扰，从而优化组串式逆变器及充电桩的PCB布局与散热设计。建议研发部门引入此类物理模型，以替代传统的行为级模型，缩...