Daniel L. Mauch · Fred J. Zutavern · Jarod J. Delhotal · Michael P. King 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年12月

本文提出了一种测量宽禁带二极管亚纳秒级反向恢复时间的系统。该系统利用基于硅光导半导体开关（PCSS）和超短脉冲激光触发的电缆脉冲发生器，能够在0-1A正向偏置和0-10kV反向电压范围内，精确表征宽禁带材料二极管的反向恢复特性。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan储能系统中大规模应用SiC等宽禁带半导体器件，高频开关下的损耗与可靠性评估至关重要。该测量技术能精确表征器件在极端工况下的反向恢复特性，有助于优化逆变器及PCS的驱动电路设计，降低开关损耗，提升系统能效。建议研发团队关注该测试方法，以提升功率模块选型及...