Hiroo Sekiya · Xiuqin Wei · Tomoharu Nagashima · Marian K. Kazimierczuk · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年7月

本文提出了任意占空比和高负载品质因数下DE类逆变器的稳态分析及设计方程。研究综合考虑了MOSFET漏源极和栅漏极的非线性寄生电容，以及二极管结的任意梯度系数，并分析了最大工作频率、功率输出能力及转换效率。

解读: DE类逆变器作为一种高频软开关拓扑，在提升功率密度和转换效率方面具有显著潜力。对于阳光电源而言，该技术可应用于下一代高频组串式光伏逆变器及微型逆变器的研发中，通过优化非线性寄生电容建模，能有效降低开关损耗，提升整机效率。此外，该设计方法对宽禁带半导体（SiC/GaN）的应用具有指导意义，有助于在紧凑...