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任意占空比下DE类逆变器的稳态分析与设计

Steady-State Analysis and Design of Class-DE Inverter at Any Duty Ratio

作者 Hiroo Sekiya · Xiuqin Wei · Tomoharu Nagashima · Marian K. Kazimierczuk
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2015年7月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 光伏逆变器 功率模块 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 Class-DE 逆变器 稳态分析 MOSFET 寄生电容 电能转换效率 高频设计
语言:

中文摘要

本文提出了任意占空比和高负载品质因数下DE类逆变器的稳态分析及设计方程。研究综合考虑了MOSFET漏源极和栅漏极的非线性寄生电容,以及二极管结的任意梯度系数,并分析了最大工作频率、功率输出能力及转换效率。

English Abstract

This paper presents a steady-state analysis and design equations for the class-DE inverters at any duty ratio and high loaded quality factor, taking into account nonlinear MOSFET drain–source and gate–drain parasitic capacitances with any grading coefficients of the diode junctions. Additionally, maximum operating frequency, power output capability, and power-conversion efficiency of the class-DE ...
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SunView 深度解读

DE类逆变器作为一种高频软开关拓扑,在提升功率密度和转换效率方面具有显著潜力。对于阳光电源而言,该技术可应用于下一代高频组串式光伏逆变器及微型逆变器的研发中,通过优化非线性寄生电容建模,能有效降低开关损耗,提升整机效率。此外,该设计方法对宽禁带半导体(SiC/GaN)的应用具有指导意义,有助于在紧凑型户用光伏及储能变流器(PCS)产品中实现更高的功率密度,从而进一步增强产品在市场中的竞争力。