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高频利兹线功率损耗的快速数值计算方法
Fast Numerical Power Loss Calculation for High-Frequency Litz Wires
Stefan Ehrlich · Hans Rossmanith · Marco Sauer · Christopher Joffe 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月
本文提出了一种针对高频利兹线功率损耗的快速数值计算方法。该方法在计算激励电流引起的趋肤效应损耗及外部磁场引起的邻近效应损耗时，充分考虑了利兹线的非理想结构。在个人电脑上即可完成超过1000股线的损耗计算，显著提升了设计效率。
解读: 该研究对于阳光电源的高功率密度产品设计具有重要价值。随着光伏逆变器和储能变流器（如PowerTitan、ST系列PCS）向更高开关频率发展，磁性元件的损耗优化是提升整机效率的关键。该快速数值计算方法可集成至研发仿真平台，辅助工程师在设计阶段精确评估利兹线在复杂绕组结构下的损耗，从而优化散热设计，降低...
通过耦合有限元法与部分单元等效电路法计算利兹线系统的功率损耗
Calculation of Power Losses in Litz Wire Systems by Coupling FEM and PEEC Method
Andreas Roskopf · Eberhard Bar · Christopher Joffe · Clemens Bonse · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年9月
高频利兹线电感元件的频率相关电阻对电力电子系统设计至关重要。本文提出了一种结合有限元法（FEM）与部分单元等效电路法（PEEC）的仿真方法：利用FEM计算复杂3D几何结构下的磁场分布，并结合PEEC方法高效处理高频损耗，为电力电子变换器的磁性元件设计提供了精确的损耗预测手段。
解读: 该研究提出的FEM-PEEC耦合仿真方法对阳光电源的磁性元件设计具有重要参考价值。在组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）的开发中，高频磁性元件的损耗直接影响整机效率与温升。该方法能更精确地评估利兹线在高频工况下的趋肤效应与邻近效应，有助于优化电感设计，提升功率...
一种应用于SiC和GaN晶体管的通用SPICE场效应管模型
A Universal SPICE Field-Effect Transistor Model Applied on SiC and GaN Transistors
Achim Endruschat · Christian Novak · Holger Gerstner · Thomas Heckel 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年9月
本文提出了一种与技术和半导体材料无关的通用场效应管SPICE模型。该行为仿真模型基于测量数据构建，通过查找表与解析方程相结合的混合方法，实现了对温度相关输出特性的精确建模，从而在保证精度的同时显著提升了仿真速度。
解读: 宽禁带半导体（SiC/GaN）是阳光电源提升逆变器及储能PCS功率密度与效率的核心技术。该通用SPICE模型能够显著优化研发阶段的电路仿真精度，特别是针对高频开关下的损耗评估与热特性分析。在组串式逆变器与PowerTitan系列储能变流器的设计中，应用此模型可缩短功率模块的选型与验证周期，提升系统在...