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高电压与高dv/dt下栅极驱动器的通信功能
Communication Functions for a Gate Driver Under High Voltage and High dv/dt
Christophe Bouguet · Nicolas Ginot · Christophe Batard · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年7月
本文探讨了功率模块中栅极驱动器的关键作用。驱动器不仅负责传输开关指令，还需确保功率器件（MOSFET或IGBT）的运行安全。在高电压和高dv/dt环境下，实现可靠的信号传输与电气隔离对于保障电力电子系统的整体性能至关重要。
解读: 该研究直接关联阳光电源的核心功率变换技术。在高压大功率场景下（如PowerTitan储能系统及集中式/组串式光伏逆变器），高dv/dt带来的电磁干扰是影响系统可靠性的核心挑战。优化栅极驱动器的通信与隔离方案，能显著提升IGBT/SiC模块的开关性能与抗干扰能力，降低故障率。建议研发团队关注该文在强电...
用于智能栅极驱动板的双向通信电源电路
A Bidirectional Communicating Power Supply Circuit for Smart Gate Driver Boards
Julien Weckbrodt · Nicolas Ginot · Christophe Batard · Thanh Long Le 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月
本文探讨了功率电路中栅极驱动器的优化与安全开关需求。现代驱动板集成了短路检测、软关断、温度传感及导通电压监测等功能，并正致力于在线监测以实现预测性维护。文章提出了一种新型双向通信电源电路，旨在提升栅极驱动系统的智能化水平与可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有重要意义。随着功率密度提升，IGBT/SiC模块的驱动保护至关重要。该双向通信电源电路可提升驱动板的智能化程度，增强短路保护与状态监测能力，直接助力iSolarCloud平台实现更精准的预测性维护。建议研发团...
SiC功率MOSFET栅极漏电流监测：一种智能栅极驱动器的估算方法
Monitoring of Gate Leakage Current on SiC Power MOSFETs: An Estimation Method for Smart Gate Drivers
Julien Weckbrodt · Nicolas Ginot · Christophe Batard · Stephane Azzopardi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年8月
碳化硅（SiC）功率器件因其高频、高温特性被广泛应用于电能转换系统。本文针对SiC MOSFET的栅极漏电流监测问题，提出了一种适用于智能栅极驱动器的估算方法，旨在提升SiC器件在电力电子系统中的运行可靠性与状态监测能力。
解读: 该研究直接契合阳光电源在光伏逆变器和储能PCS中对SiC器件的应用趋势。随着PowerTitan系列储能系统及组串式逆变器向更高功率密度和高频化演进，SiC MOSFET的长期可靠性至关重要。该栅极漏电流监测方法可集成至阳光电源的智能栅极驱动电路中，实现对功率模块早期失效的预警，从而提升iSolar...
脉冲平面变压器等效电路模型及其对突变dv/dt的耐受性
Equivalent Circuit Model of a Pulse Planar Transformer and Endurance to Abrupt dv/dt
Loreine Makki · Antoine Laspeyres · Corentin Darbas · Anne-Sophie Descamps 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年9月
宽禁带（WBG）半导体器件的高开关速度和高频特性在提升功率转换效率的同时，也带来了严峻的电磁干扰（EMI）挑战。本文针对栅极驱动应用中的脉冲平面变压器，建立了等效电路模型，并重点研究了其在高速开关瞬态下对高dv/dt应力的耐受能力，为高频功率变换器的可靠性设计提供了理论支撑。
解读: 该研究对阳光电源的功率电子设计具有重要参考价值。随着公司在户用及工商业光伏逆变器、电动汽车充电桩中大规模应用SiC等宽禁带器件，高dv/dt带来的EMI和绝缘可靠性问题日益突出。平面变压器是高功率密度设计的核心组件，本文提出的等效模型及耐受性分析方法，可直接应用于公司新一代高频逆变器及充电桩的栅极驱...