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一种具有可变直流母线电压和低共模噪声的紧凑型单相级联三电平AC/DC变换器
A Compact Single-Phase Cascaded Three-Level AC/DC Converter With Variable DC Bus Voltage and Low CM Noise
Yuanbin He · Hao Liu · Junjie Zhang · Chenyu Shen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月
本文提出了一种采用可变直流母线电压控制的两级AC/DC变换器拓扑。该技术由新型单电感级联三电平图腾柱PFC电路与三电平LLC半桥变换器级联而成，旨在解决现有两级变换器在可变直流母线电压控制下的性能局限，实现高效率与低共模噪声。
解读: 该拓扑技术对阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线具有重要参考价值。其采用的三电平图腾柱PFC与三电平LLC架构，能有效提升单相系统的功率密度并降低共模噪声，符合户用产品小型化、静音化的发展趋势。可变直流母线电压控制策略有助于在宽输入电压范围内优化系统效率，建议研发团队评估该拓扑在阳光电源新一代户用...
风电功率预测中若干关键过程的综述：数学表达、科学问题与逻辑关系
Review of several key processes in wind power forecasting: Mathematical formulations, scientific problems, and logical relations
Mao Yang · Yutong Huang · Chuanyu Xu · Chenyu Liu 等5人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.377
摘要 风电功率预测（WPF）是大规模风电场并网运行下电力系统调度的关键技术。随着特征信息的不断丰富和计算机科学的发展，相关研究大量涌现。本文综述了特征挖掘方法和最新的预测模型结构，旨在为该领域提供最新的研究视角。文章将WPF过程方法划分为时频域分析、特征工程和预测器结构三个部分。首先，总结了各部分的整体与详细数学表达式，以提供更具普适性的WPF过程方法研究框架。特别地，在每一部分中，创新性地基于典型科学问题梳理了最新模型之间的逻辑关系。此外，本文还归纳了六种解决关键科学或工程问题的前沿预测器结构...
解读: 该风电功率预测技术对阳光电源储能系统(ST系列PCS、PowerTitan)具有重要应用价值。多源数据融合与时频域分析方法可优化储能系统的充放电策略,提升风储协同控制精度。特征工程与预测模型可集成至iSolarCloud平台,实现预测性维护与智能调度。文中提出的数据质量与可解释性挑战,与阳光电源GF...
基于占空比分解的三相四线制背靠背变换器共模电压抑制方法
Duty Cycle Decomposition-Based Common-Mode Voltage Elimination for Three-Phase Four-Leg Back-to-Back Converters
Xingwu Yang · Riquan Li · Zhicheng Meng · Ruihuang Liu 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年10月 · Vol.14
针对非隔离型三相四线制背靠背变换器共模电压（CMV）导致设备可靠性下降的问题，本文提出一种占空比分解法：将各桥臂占空比分解为两个幅值可调、差值恒定的虚拟占空比，实时匹配两侧上桥臂导通次数以理论消除CMV；同时对零矢量（0000）对称分布以改善电流质量。仿真与实验验证了该方法的有效性。
解读: 该CMV抑制算法可直接提升阳光电源ST系列储能变流器（PCS）及PowerTitan液冷储能系统在微电网和光储一体化场景下的电磁兼容性与长期运行可靠性。尤其适用于多机并联、长电缆连接等易引发共模干扰的工商业光伏+储能项目。建议在下一代组串式逆变器（如SG325HX）的固件升级中集成该占空比分解策略，...
单极正负偏压应力下Ga₂O₃-on-SiC MOSFET阈值电压独特的单调正向漂移
Unique Monotonic Positive Shifts in Threshold Voltages of Ga₂O₃-on-SiC MOSFETs Under Both Unipolar Positive and Negative Bias Stresses
Chenyu Liu · Bochang Li · Yibo Wang · Wenhui Xu 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月
本研究系统地研究了异质碳化硅基氧化镓（GaOSiC）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）在单极正/负偏置应力（UPBS/UNBS）下的不稳定性。通过调整应力电压波形的关键参数，包括频率（f）、保持时间（$t_{\text {h}}$）、上升时间（$t_{\text {r}}$）和下降时间（$t_{\text {f}}$），在 UPBS 测量中观察到阈值电压（$V_{\text {T}}$）随循环次数（$C_{n}$）呈现两阶段偏移。UPBS 引起的正 $V_{\text {T...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于Ga₂O₃-on-SiC MOSFET器件可靠性的研究具有重要的前瞻性价值。该研究系统揭示了异质结构功率器件在单极性偏置应力下的阈值电压漂移机制，这对我们开发下一代高效光伏逆变器和储能变流器至关重要。 Ga₂O₃/SiC异质结构结合了氧化镓的超宽禁带特性（约4.8...