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一种基于准两级架构和双输出LLC谐振变换器的宽输入电压范围高降压多输出变换器
A High Step-Down Multiple Output Converter With Wide Input Voltage Range Based on Quasi Two-Stage Architecture and Dual-Output LLC Resonant Converter
Hongfei Wu · Chengan Wan · Kai Sun · Yan Xing · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年4月
本文提出了一种准两级架构，旨在实现宽输入电压范围（约1:2）和高降压多输出转换。第一级采用DC-DCX变换器，在低输入电压下作为稳压DC-DC变换器工作，在高输入电压下作为非稳压DC-DC变压器工作，从而优化中间母线电压，提升整体转换效率。
解读: 该拓扑结构对于阳光电源的储能PCS及充电桩产品线具有重要的参考价值。在PowerTitan等储能系统中，面对电池组电压随SOC变化的宽范围特性，该准两级架构能有效优化DC-DC级的效率，减少功率器件的电压应力。此外，在充电桩产品中，该方案的高降压多输出特性可简化多路输出电路设计，提升功率密度。建议研...
中子辐照对GaN高电子迁移率晶体管重离子诱导漏电流退化影响的研究
Study on the Influence of Neutron Irradiation on Heavy-Ion-Induced Leakage Degradation in GaN HEMTs
Weixiang Zhou · Dongping Yang · Yuanyuan Xue · Rongxing Cao 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年6月
本研究探究了中子辐照对 p - GaN 栅高电子迁移率晶体管（HEMT）中重离子诱发的泄漏退化的影响。进行了不同能量的中子辐照实验，结果显示阈值电压（ ${V}_{\text {TH}}$ ）正向漂移，输出饱和漏极电流（ ${I}_{\text {DS}}$ ）减小。随后进行了钽离子辐照实验，以研究辐照过程中的泄漏电流退化情况。我们观察到，与未进行中子辐照的器件相比，预先经过中子辐照的器件在重离子辐照期间的泄漏退化较弱，这表明中子辐照对重离子诱发的泄漏退化具有抑制作用。利用技术计算机辅助设计（T...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于GaN HEMT器件抗辐射性能的研究具有重要的战略参考价值。GaN功率器件因其高频、高效、高功率密度特性，已成为我们新一代光伏逆变器和储能变流器的核心技术方向，但其在极端环境下的可靠性一直是工程应用的关键考量。 该研究揭示的中子辐照对重离子诱导漏电退化的抑制效应，...