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基于结的深台面终端用于千伏级垂直β-Ga2O3功率器件
Junction-based deep mesa termination for multi-kilovolt vertical β-Ga2O3 power devices
Jiangbin Wan · Hengyu Wang · Chi Zhang · Ce Wang · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
本文报道了一种基于结的深台面终端结构，用于提升千伏级以上垂直β-Ga2O3功率器件的击穿性能。通过精确控制台面刻蚀深度并结合p型掺杂层形成局部PN结，有效调制表面电场分布，抑制边缘击穿。实验结果表明，该终端结构显著提高了器件的击穿电压与可靠性，为高性能氧化镓功率器件的规模化应用提供了可行方案。
解读: 该β-Ga2O3功率器件终端技术对阳光电源具有前瞻性战略价值。深台面结终端结构实现的千伏级击穿电压和高可靠性，可为ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的下一代功率模块提供超越SiC的技术路径。Ga2O3的超宽禁带特性（4.8eV）和高临界击穿场强（8MV/cm）可显著降低导通损耗，提升1500V光...
一种基于VCE测量的自适应消隐电路改进型IGBT短路保护方法
An Improved IGBT Short-Circuit Protection Method With Self-Adaptive Blanking Circuit Based on V CE Measurement
Min Chen · Dehong Xu · Xingyao Zhang · Nan Zhu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年7月
IGBT短路保护是提升电力电子系统可靠性的关键。传统的基于VCE测量的短路保护方法需通过消隐电路避免误触发。本文提出了一种自适应消隐电路改进方案，旨在优化短路检测的准确性与响应速度，从而增强功率变换器在极端工况下的可靠性。
解读: 该技术直接应用于阳光电源的核心产品线，包括组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器及风电变流器。IGBT作为上述产品的核心功率器件，其短路保护的可靠性直接决定了系统的故障率与使用寿命。传统的固定消隐时间方案在应对不同工况时存在误触发或保护滞后的风险，而该自适应消...
应用于全桥LLC谐振变换器以消除共模噪声的对称集成矩阵变压器研究
Research on Symmetrical Integrated Matrix Transformer Applied to Full-Bridge LLC Resonant Converter for CM Noise Cancellation
Chuang Zhou · Fanghua Zhang · Ce Xu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月
平面变压器因漏感小、高度低被广泛应用于DC-DC变换器，但其原副边重叠面积大导致寄生电容增加，引发严重的共模（CM）噪声问题。本文提出一种对称集成矩阵变压器结构，旨在全桥LLC谐振变换器中实现CM噪声的有效抵消，提升变换器的电磁兼容性。
解读: 该技术对阳光电源的组串式光伏逆变器及储能PCS产品具有重要参考价值。随着功率密度提升，高频化带来的EMI问题已成为产品设计的瓶颈。对称集成矩阵变压器方案能有效抑制共模噪声，有助于减小滤波器体积，提升整机功率密度。建议研发团队在PowerTitan等大功率储能变流器及高频户用逆变器设计中，评估该结构在...
一种具有双路径有源频率补偿方案的快速瞬态无电容LDO
A Fast-Transient Capacitorless LDO With Dual Paths Active-Frequency Compensation Scheme
Xin Ming · Jian-Jun Kuang · Xin-ce Gong · Zhiyi Lin 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年9月
本文提出了一种面积高效且瞬态响应快的无电容低压差线性稳压器（LDO）。通过采用具有推挽充电能力的有源电容频率补偿策略，在不降低轻载下环路稳定性的前提下，有效减少了片上补偿电容面积，并显著提升了瞬态响应速度。
解读: 该技术属于电源管理芯片（PMIC）底层电路设计，对阳光电源的iSolarCloud智能运维平台中的传感器节点、户用逆变器及储能系统的控制板卡电源设计具有参考价值。随着光伏和储能系统对控制电路集成度、响应速度及可靠性要求的提升，该无电容LDO方案有助于减小控制板卡尺寸并降低成本，特别是在空间受限的户用...
用于全桥LLC-DCX变换器共模噪声抑制的平面集成矩阵变压器改进研究
Improvement of Planar Integrated Matrix Transformer for CM Noise Cancellation Applied to Full-Bridge LLC-DCX Converter
Chuang Zhou · Fanghua Zhang · Ce Xu · Teng Tu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
本文针对全桥LLC直流变压器（LLC-DCX）中的平面集成矩阵变压器（PIMT）进行改进，旨在利用其对称性实现共模（CM）噪声的有效抵消。研究通过优化变压器结构，提升了变换器在电磁兼容性方面的表现，适用于高功率密度、低高度的电力电子变换场景。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及大功率组串式逆变器具有重要价值。LLC-DCX拓扑常用于储能变流器（PCS）的隔离级，以实现高效率的直流变换。通过优化PIMT设计来抑制共模噪声，不仅能显著降低EMI滤波器的体积和成本，提升系统功率密度，还能增强产品在复杂电...
一种具有辅助路径推挽缓冲器和整形混合偏置技术的高电流效率快速瞬态PMOS LDO
A Current-Efficient Fast-Transient PMOS LDO With Aux-Path Push-Pull Buffer and Shaped-Hybrid-Bias Technique Achieving 8.15 ps FoM
Xin-Ce Gong · Jian-Jun Kuang · Xin Ming · Shi-Ting Hu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
本文提出了一种专为移动应用中高速、大电流负载瞬态设计的PMOS低压差线性稳压器（LDO）。通过引入低功耗辅助路径推挽缓冲器，为功率FET的栅极电容提供高推挽电流，显著抑制了电压下冲和过冲，实现了8.15 ps的优异品质因数（FoM）。
解读: 该文献探讨的LDO设计技术主要针对移动端高频、快速瞬态响应场景，虽然与阳光电源的核心大功率电力电子产品（如光伏逆变器、储能PCS）在功率等级上存在差异，但其提出的辅助路径推挽缓冲器和整形混合偏置技术，对阳光电源电动汽车充电桩及iSolarCloud智能运维平台中的控制板卡电源管理具有参考价值。在充电...
用于高效储能的增强型卡诺电池：可行性分析
Enhanced Carnot battery for high-efficiency energy storage: Feasibility analysis
Ce Zhang · Minxia Li · Chaobin Dang · Xun Chen 等6人 · Energy Conversion and Management · 2025年5月 · Vol.332
摘要 可再生能源发电技术的广泛应用对电网稳定性提出了严峻挑战，亟需发展先进的储能技术。卡诺电池具有建设成本低、安装灵活性高等优势，然而传统卡诺电池往返效率较低，限制了其大规模应用。本研究构建了增强型卡诺电池以实现高效储能，并探讨了多种增强技术的性能表现。选取中国三个城市作为应用地点，以工业低温余热回收为应用场景，对增强型卡诺电池的可行性进行分析。结果表明，当热泵模块采用蒸汽喷射技术、有机朗肯循环模块采用双压蒸发技术时，系统整体性能最优。与传统卡诺电池相比，增强型卡诺电池的投资回收期可缩短76.8...
解读: 该增强型卡诺电池技术对阳光电源储能系统具有重要启示价值。其通过蒸汽喷射热泵与双压蒸发ORC技术实现往返效率提升,与我司PowerTitan储能系统的多层级能量管理理念高度契合。可借鉴其热能梯级利用思路,优化ST系列PCS的热管理系统,结合工业余热回收场景拓展储能应用边界。该技术使投资回收期缩短76....
电场调控与RESURF-台面结构侧壁漏电流抑制实现高性能Ga₂O₃功率器件
Electric Field Management and Sidewall Leakage Current Suppression of RESURF-mesa for High-Performance Ga2O3 Power Devices
Jiangbin Wan · Hengyu Wang · Haoyuan Cheng · Ce Wang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月
本研究展示了具有低表面电场台面（RESURF - 台面）结构的高性能垂直β - Ga₂O₃整流器。这种RESURF - 台面设计采用非自对准蚀刻工艺形成深度为5μm的台面，利用5μm厚的SiO₂层和120nm的p型氧化镍（NiO），在氩氧流量比为20:1的条件下对侧壁进行封装。技术计算机辅助设计（TCAD）模拟证实，通过优化NiO厚度可降低表面电场。因此，采用120nm NiO的RESURF - 台面肖特基势垒二极管（SBD）的击穿电压（BV）为2600V，而RESURF - 台面异质结二极管（...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于氧化镓（Ga₂O₃）的RESURF-mesa结构功率器件技术具有显著的战略价值。该研究实现了击穿电压超3000V、比导通电阻仅4.1mΩ·cm²的性能指标，功率品质因数达到2.2GW/cm²，代表了超宽禁带半导体功率器件的重要突破。 对于阳光电源的核心业务而言，这...