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基于SiC的零电压开关逆变器抑制电机过电压
Motor Overvoltage Mitigation Using SiC-Based Zero-Voltage Switching Inverter
Suleman Yunus · Wenlong Ming · Carlos E. Ugalde-Loo · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月
本文针对碳化硅（SiC）MOSFET在高压变化率（dv/dt）下引起的电机过电压问题，提出了一种新型电感电容参数选择方法。该方法旨在通过零电压开关技术，减轻长电缆驱动系统中电缆和电机绝缘层的压力，避免局部放电和电压分布不均，从而提升系统可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的风电变流器及工业驱动产品线具有重要参考价值。SiC器件的应用虽能提升效率和功率密度，但伴随的高dv/dt会加速电机绝缘老化。通过引入零电压开关（ZVS）拓扑及优化的滤波器参数设计，可在不牺牲效率的前提下降低电机侧电压应力。建议研发团队在下一代高频SiC变流器设计中，将此抑制策略集成...
用于保护直流微电网的低损耗双向固态断路器
Low-Loss Bidirectional Solid-State Circuit Breakers With Reliable Breaking Capability for Protecting DC Microgrids
Yufeng Wang · Sheng Wang · Carlos E. Ugalde-Loo · Wenlong Ming 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月
基于可控硅（SCR）的直流固态断路器（SSCB）因控制简单和高效率备受关注，但其高导通损耗是主要瓶颈。本文提出了一种新型双向SCR-SSCB拓扑，通过消除电感元件，将导通损耗降低了约50%，同时保持了可靠的故障切断能力。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及直流微电网解决方案具有重要参考价值。直流侧故障保护是高压储能系统的核心安全挑战，传统的机械断路器响应速度慢，而该低损耗双向SSCB拓扑能显著提升系统效率并降低热管理压力。建议研发团队评估该拓扑在PCS直流侧保护中的应用潜力，...