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排序:
拓扑与电路
SiC器件
DC-DC变换器
宽禁带半导体
★ 4.0
基于SiC的双开关反激变换器中MOSFET的电压分担
Voltage Sharing Between MOSFETs in a SiC-Based Two-Switch Flyback
Joni-Markus Hietanen · Kalyan Gokhale · Brian Veik · Tommi J. Kärkkäinen 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
双开关反激变换器通过增加开关管和钳位二极管,将每个开关管的峰值电压限制在输入直流电压水平。这种拓扑结构在关断状态下由两个开关管共同分担电压,从而支持更高的直流输入电压,或允许使用低耐压等级的功率器件,提升系统效率与功率密度。
解读: 该研究探讨的双开关反激拓扑及SiC器件电压分担技术,对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能PCS产品具有重要参考价值。在追求高功率密度和高效率的趋势下,利用SiC器件配合该拓扑,可有效降低开关管电压应力,从而选用更低导通电阻的器件,进一步降低损耗。建议研发团队在小功率辅助电源设计或高压输入DC-DC变...