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串联同步三偏置翻转电路：最大化单储能电容在压电能量收集增强中的利用率
Series Synchronized Triple Bias-Flip Circuit: Maximizing the Usage of a Single Storage Capacitor for Piezoelectric Energy Harvesting Enhancement
Bao Zhao · Kang Zhao · Xinchen Wang · Junrui Liang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年6月
同步多偏置翻转（SMBF）接口电路通过最大化压电能源的能量提取并最小化功率调节电路中的损耗，提升了压电能量收集（PEH）能力。本文提出了一种串联同步三偏置翻转电路，旨在解决现有技术中储能电容利用率不足的问题，为压电能量收集提供了一种更具经济性的功率调节方案。
解读: 该研究聚焦于微能源收集的接口电路拓扑优化，与阳光电源现有的光伏逆变器、储能系统（如PowerTitan/PowerStack）及风电变流器等大功率电力电子产品线在应用场景上有较大差异。然而，该文提出的“最大化储能电容利用率”及“降低电路损耗”的拓扑设计思路，对于阳光电源在iSolarCloud智能运...
一种用于多功能压电能量收集与振动激励的双向能量转换电路
A Bidirectional Energy Conversion Circuit Toward Multifunctional Piezoelectric Energy Harvesting and Vibration Excitation Purposes
Bao Zhao · Jiahua Wang · Wei-Hsin Liao · Junrui Liang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年11月
压电换能器提供了机械能与电能双向转换的通道。本文提出了一种新型双向能量转换电路，旨在实现压电装置在能量收集（机械转电能）与振动激励（电能转机械）两种模式下的高效运行，为压电系统的多功能集成应用提供了电路拓扑支持。
解读: 该研究聚焦于压电换能器的双向电路拓扑，虽然目前阳光电源的核心业务（光伏、储能、风电、充电桩）主要基于电磁感应原理，与压电技术直接关联度较低，但其“双向能量转换”的设计理念与公司储能变流器（PCS）的双向功率变换逻辑有共通之处。在未来前沿技术储备方面，该电路拓扑中涉及的高频、微功率双向变换技术，可为公...
基于阻抗无穷范数的三相交流分布式电力系统恒功率负载稳定性判据
Infinity-Norm of Impedance-Based Stability Criterion for Three-Phase AC Distributed Power Systems With Constant Power Loads
Zeng Liu · Jinjun Liu · Weihan Bao · Yalin Zhao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年6月
本文提出了一种针对三相交流分布式电力系统（DPS）的稳定性判据。通过引入阻抗和导纳的无穷范数，改进了传统同步旋转坐标系下基于阻抗/导纳分析法的计算效率，为预测含恒功率负载系统的稳定性提供了更高效的理论支撑。
解读: 该研究对于阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统在复杂弱电网环境下的并网稳定性具有重要指导意义。随着分布式能源渗透率提升，系统常表现出恒功率负载特性，易引发振荡。该判据通过无穷范数简化了稳定性分析，有助于优化逆变器及PCS的控制环路设计，提升系统在弱电网下的鲁棒性...
基于拖尾电流动力学物理描述的串联FS-IGBT电压不平衡建模与分析
Modeling and Analysis of Voltage Imbalance in Series-Connected FS-IGBTs Based on Physical Description of Tail-Current Dynamics
Xianzhe Bao · Chushan Li · Yunfei Xu · Guoliang Zhao 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月
串联IGBT在关断过程中因拖尾电流差异产生二次电压不平衡。现有模型往往简化了载流子传输与复合等物理过程，导致对拖尾电流描述不准。本文提出了一种基于物理描述的建模方法，旨在更准确地表征电压不平衡现象，为高压功率器件的串联应用提供理论支撑。
解读: 该研究对于阳光电源在高压集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）中的功率模块设计具有重要参考价值。在超高压应用场景下，IGBT串联技术是提升系统电压等级的关键，而电压不平衡直接影响器件的可靠性与寿命。通过深入理解拖尾电流的物理机制，研发团队可以优化驱动电路设计及均压控制策略，从而...
同时改善具有氧化合金状氮化铪界面层的Ge n/p-FinFET及反相器的电学特性
Simultaneously Improved Electrical Characteristics of Ge n/p-FinFETs and Inverter With Oxidized Alloy-Like Hafnium Nitride Interfacial Layer
Dun-Bao Ruan · Kuei-Shu Chang-Liao · Cheng-Han Li · Zefu Zhao 等5人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月
为了同时改善锗（Ge） n 沟道和 p 沟道场效应晶体管（FET）的电学特性，本文提出了一种在锗鳍式场效应晶体管（nFinFET）、p 型鳍式场效应晶体管（pFinFET）和互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器上采用氧化程度约为 10%的类合金界面层（IL）的界面层工程。得益于通过合适的氧化工艺在类合金和富氧界面层之间实现的权衡平衡，锗 nFinFET 和 pFinFET 均表现出更低的等效氧化层厚度（EOT）值、更低的泄漏电流、更少的边界陷阱、更低的界面态密度（DIT）值、更低的亚阈值摆幅（...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于锗（Ge）FinFET的界面层工程技术对我们的核心产品具有重要的潜在价值。该技术通过氧化类合金铪氮化物界面层同时改善n型和p型器件特性，实现了更低的等效氧化层厚度（EOT）、更低的漏电流和更高的开关电流比，这些特性直接对应着我们光伏逆变器和储能变流器中功率半导体器件...