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功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种具有垂直集成栅极驱动器的无键合线SiC开关单元

A Wire Bondless SiC Switching Cell With a Vertically Integrated Gate Driver

Sayan Seal · Andrea K. Wallace · Audrey M. Dearien · Chris Farnell 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年9月

本文展示了一种集成栅极驱动器的SiC半桥模块。通过物理和电气上的紧凑集成方案,显著降低了关键开关回路的寄生电感。此外,该方案采用了无键合线互连技术,将功率器件的互连寄生电感降至极低水平,从而优化了高频开关性能。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)中,提高开关频率和功率密度是提升产品竞争力的关键。无键合线封装技术能有效抑制SiC器件在高频开关下的电压尖峰,降低电磁干扰(EMI),从而减小磁性元件体积并提升整机效率。...