Anandakumar Subbiah · Oleg Wasynczuk · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年9月

本文提出了一种计算高效的仿真框架，通过物理现象建模准确预测半导体器件的高频电路级瞬态及能量损耗。核心要素包括封装二极管模型及器件模型与外部电路元件的耦合方法，旨在提升电力电子系统仿真精度与效率。

解读: 该研究对于阳光电源的核心产品线（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有极高价值。随着SiC和GaN等宽禁带半导体在高效能产品中的广泛应用，高频开关带来的电磁干扰与损耗问题日益突出。该仿真框架能显著提升研发阶段对功率模块瞬态行为的预测精度，缩短产品开发周期，并优化散热设计与EM...