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功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

高频GaN变换器PCB电感设计方法

Design Method of PCB Inductors for High-Frequency GaN Converters

Ammar Chafi · Nadir Idir · Arnaud Videt · Hassan Maher · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月

新型氮化镓(GaN)功率晶体管凭借纳秒级的开关速度,使变换器工作频率提升至兆赫兹量级,从而减小无源元件体积并提升功率密度。然而,储能电感仍占据变换器较大空间。本文提出了一种PCB电感设计方法,旨在优化高频GaN变换器中的电感设计,以进一步提升系统功率密度。

解读: 该技术对于阳光电源提升光伏逆变器及储能PCS的功率密度具有重要参考价值。随着GaN器件在户用光伏逆变器及小型化储能系统中的应用潜力增加,PCB集成电感技术能有效降低系统体积与寄生参数,提升转换效率。建议研发团队关注该设计方法在轻量化、高频化产品线中的应用,特别是在PowerStack等储能系统的高频...