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单有源桥变换器的动态研究
A Dynamic Study of the Single Active Bridge Converter
Alberto Rodríguez · Alexis A. Gómez · Marta M. Hernando · Diego G. Lamar 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月
本文对单有源桥（SAB）变换器的动态行为进行了深入研究。SAB变换器可视为双有源桥（DAB）变换器的单向版本。尽管DAB变换器近年已得到广泛分析，但SAB的动态特性与其存在显著差异，且此前尚未得到充分探讨。
解读: SAB变换器作为DAB的单向拓扑，在阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及光伏逆变器直流侧变换环节具有重要的参考价值。虽然阳光电源目前储能PCS多采用双向DAB拓扑以实现充放电功能，但针对特定单向功率流场景（如纯光伏直流汇流或特定辅助电源模块），SAB的动态建模与控制策...
SiC MOSFET中动态开关应力的解耦效应
Decoupling Effects for Dynamic Switching Stress in SiC MOSFETs
Alexis A. Gómez · Juan R. García-Meré · Alberto Rodríguez · Juan Rodríguez 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年1月
本研究依据行业准则，对经过各种动态测试的碳化硅（SiC）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）的阈值电压（Vth）退化情况进行了对比分析。为确保对比的公平性，采用了定制的实验装置。观察到的退化结果显示，其会因是否施加高电压、驱动条件或开关事件的发生情况而有所不同。通过有限元方法（FEM）模拟和寄生电容分析，对实验观察结果进行了全面解释。此外，本研究还提出了一个概念框架和方法，可通过简化的退化测试程序来模拟高压老化效应。
解读: 该SiC MOSFET动态应力解耦研究对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的功率器件设计具有重要指导意义。研究揭示的高频开关下热-电场耦合导致Vth退化机制，可直接应用于PowerTitan大型储能系统中SiC模块的热管理优化和开关频率设计。通过解耦分析电场应力与热应力的独立影响，可改进...