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宽禁带半导体
★ 2.0
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)工作周期对输出脉冲参数的影响
Influence of DSRD Operation Cycle on the Output Pulse Parameters
Alexander G. Lyublinsky · Alexei F. Kardo-Sysoev · Maksim N. Cherenev · Mikhail I. Vexler · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年6月
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)是用于产生高压纳秒脉冲的半导体开关器件。基于DSRD的电路利用电感储能,可将数十至数百纳秒的输入脉冲压缩至纳秒或亚纳秒级输出。尽管其物理原理已得到广泛研究,但其工作周期对输出脉冲参数的具体影响仍需深入分析。
解读: DSRD技术主要应用于超高压、超快脉冲功率领域,与阳光电源目前主流的光伏逆变器(IGBT/SiC基)和储能PCS产品线存在技术差异。该技术属于极窄脉冲功率电子范畴,在阳光电源现有产品中暂无直接应用场景。但从功率器件演进角度看,该研究对于理解极端工况下半导体开关的动态特性具有参考价值。建议关注其在未来...