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碳化硅功率MOSFET模型：一种基于Levenberg-Marquardt算法的精确参数提取方法
Silicon Carbide Power MOSFET Model: An Accurate Parameter Extraction Method Based on the Levenberg–Marquardt Algorithm
Wadia Jouha · Ahmed El Oualkadi · Pascal Dherbecourt · Eric Joubert 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年11月
本文提出了一种基于Levenberg-Marquardt算法的碳化硅（SiC）功率MOSFET模型参数提取方法。通过改进的紧凑模型，研究了SiC MOSFET在不同温度和输入电压下的静态特性。仿真结果与实测数据吻合度极高，验证了该方法的准确性。
解读: SiC器件是阳光电源提升逆变器和储能系统功率密度与效率的核心技术。该研究提出的高精度参数提取方法，能够显著提升SiC MOSFET在仿真环境下的模型保真度，对公司研发组串式光伏逆变器（如SG系列）及大功率储能变流器（如PowerTitan）具有重要意义。通过更精确的静态特性建模，研发团队可优化驱动电...
针对对称两相感应电机驱动的直接转子磁场定向控制策略：定子侧B4与B6逆变器的比较
Direct RFOC Strategies Aimed to Symmetrical Two-Phase IM Drives: Comparison Between B4- and B6-Inverters in the Stator
Ameni Ouarda · Bassem El Badsi · Ahmed Masmoudi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年11月
本文研究了对称两相感应电机（2PIM）中直接转子磁场定向控制（RFOC）的稳态和瞬态性能。通过对比分析两桥臂电压源逆变器（B4型）与三桥臂电压源逆变器（B6型）在电机驱动系统中的表现，评估了不同拓扑结构对控制性能的影响。
解读: 该文献主要探讨电机驱动领域的逆变器拓扑（B4 vs B6）及控制策略，与阳光电源的核心业务（光伏逆变器、储能PCS、风电变流器）在应用场景上存在差异。虽然阳光电源的变流器产品多基于三相拓扑，但文中对于不同逆变器拓扑结构在控制性能、损耗及瞬态响应方面的对比分析方法，可为公司在研发新型电力电子变换器时提...