Achim Endruschat · Christian Novak · Holger Gerstner · Thomas Heckel 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年9月

本文提出了一种与技术和半导体材料无关的通用场效应管SPICE模型。该行为仿真模型基于测量数据构建，通过查找表与解析方程相结合的混合方法，实现了对温度相关输出特性的精确建模，从而在保证精度的同时显著提升了仿真速度。

解读: 宽禁带半导体（SiC/GaN）是阳光电源提升逆变器及储能PCS功率密度与效率的核心技术。该通用SPICE模型能够显著优化研发阶段的电路仿真精度，特别是针对高频开关下的损耗评估与热特性分析。在组串式逆变器与PowerTitan系列储能变流器的设计中，应用此模型可缩短功率模块的选型与验证周期，提升系统在...