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基于可再生能源的住宅用微电网的技术经济、预测建模与需求响应分析
Techno-Economic, Predictive Modeling, and Demand Response Analysis of a Renewable Energy-Based Microgrid for Residential Applications
Md. Feroz Ali · Md. Rafiqul Islam Sheikh · Abdullah Al Mamun · Md. Jakir Hossen · IEEE Access · 2025年1月
本研究针对孟加拉国拉杰沙希一栋五层住宅楼，利用HOMER Pro优化设计了一个并网型太阳能光伏-沼气微电网。最优配置下，可再生能源占比达59.4%，二氧化碳排放减少46%，度电成本降至0.0306美元/kWh，年发电量分别为光伏31,168 kWh和沼气3,040 kWh。预测模型（R²=1.0）显著提升功率预测精度，MATLAB仿真验证系统电压频率稳定。需求响应策略年节电2,730.44 kWh，降低对非可再生能源依赖。系统可靠性高，缺供电能（ENS）和失电概率（LPSP）接近零，敏感性分析表...
解读: 该研究的并网型光伏-沼气微电网优化设计与需求响应策略，对阳光电源户用储能系统（如PowerStack系列）和SG系列户用逆变器具有重要参考价值。研究中的预测建模技术（R²=1.0）可集成至iSolarCloud平台，提升功率预测精度和智能调度能力；需求响应策略年节电2,730 kWh的成果，可应用于...
高频
fT≥30 GHz）高击穿
Jiahao Chen · Parthasarathy Seshadri · Abdullah Al Mamun Mazumder · Ruixin Bai 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月
本文报道了一种采用MOCVD生长的Al₀.₆₂Ga₀.₃₈N沟道层和Al₀.₈₄Ga₀.₁₆N势垒层的高电子迁移率晶体管（HEMT）。器件实现3.7 Ω·mm的接触电阻和约3.3 kΩ/□的方阻。在栅长180 nm、源漏间距3 μm条件下，获得30.5 GHz的fT和55.3 GHz的fmax，同时表现出0.46 A/mm的高漏极电流、低栅/漏泄漏电流及高达315 V的击穿电压，Johnson品质因数达9.6 THz·V，为目前超宽禁带晶体管中的最高值。通过小信号参数提取得到内禀电子速度超过1×...
解读: 该超宽禁带AlGaN沟道HEMT技术对阳光电源高压大功率产品具有重要应用价值。其315V击穿电压和30GHz高频特性显著优于传统GaN器件，可应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的功率开关模块，实现更高开关频率（降低磁性元件体积）和更高耐压等级（适配1500V直流系统）。9.6 THz·V的...