基于Hf0.5Zr0.5O2共集成铁电逆变器的循环退化研究

Cycling Degradation in Hf0.5Zr0.5O2-Based Co-Integrated Ferroelectric Inverters

作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年1月

铁电场效应晶体管（FeFET）因其非易失性特性，是下一代低功耗存储器件的有力候选者。尽管FeFET的铁电特性已得到广泛研究，但目前尚未有关于与互补金属氧化物半导体（CMOS）单片共集成的FeFET的可靠性分析报道。在本研究中，通过单片共集成工艺在8英寸晶圆上制备了基于锆掺杂二氧化铪（HZO）的FeFET反相器。我们测量了FeFET反相器的工作特性，并分析了其相对于脉冲周期的退化机制。我们发现，FeFET反相器的开关电压会根据循环脉冲的数量和幅度而变化，这受到FeFET栅堆叠不同区域陷阱的影响。足...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项铁电场效应晶体管（FeFET）技术虽然聚焦于存储器领域，但其非易失性、低功耗特性与我们在光伏逆变器和储能系统中对高可靠性功率电子控制的需求存在潜在契合点。 该研究在8英寸晶圆上实现了HZO基FeFET与CMOS的单片集成，这对我们的逆变器控制芯片设计具有启发意义。当前...