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基于P3HT:PCBM界面的SiC肖特基二极管中势垒非均匀性在宽温度范围内的分析
Analysis of barrier inhomogeneity in SiC schottky diodes with P3HT: PCBM interfaces over a wide temperature range
Tamer Güzel · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
由于金属-半导体界面对于肖特基二极管电学特性具有重要影响，相关研究持续受到关注。本研究制备了结构为Au/P3HT:PCBM/6H-SiC/Al的肖特基二极管，并在80–375 K的宽温度范围内分析了其电流-电压特性。利用这些特性，结合热电子发射模型、Cheung-Cheung函数和Norde函数，计算了二极管的理想因子（n）、势垒高度（Φb）、串联电阻（Rs）和饱和电流（Io）等参数，并考察了这些参数之间的相互关系。通过Richardson图提取了Richardson常数（A*）。此外，基于高斯...
解读: 该SiC肖特基二极管界面特性研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的势垒不均匀性及温度特性分析,可指导ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中SiC器件的选型与热设计优化。宽温区(80-375K)电流-电压特性数据为三电平拓扑中SiC二极管的可靠性评估提供理论依据,有助于提升PowerTi...
异质结构与界面工程实现超宽禁带AlGaN的低阻接触
Heterostructure and interfacial engineering for low-resistance contacts to ultra-wide bandgap AlGaN
Yinxuan Zhu · Sandia National Laboratories · Chandan Joishi · Jonathan Pratt 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
针对超宽禁带AlGaN半导体材料中欧姆接触电阻高的挑战，本研究提出了一种基于极化诱导电荷调控的异质结构与界面协同工程策略。通过设计AlGaN/GaN超晶格缓冲层并优化金属-半导体界面特性，有效增强了表面载流子浓度，降低了势垒高度。结合退火工艺调控界面化学态，实现了稳定且低比接触电阻（<5×10⁻⁵ Ω·cm²）的欧姆接触。该方法为高性能AlGaN基功率电子器件的发展提供了关键技术支撑。
解读: 该研究在AlGaN低阻接触方面的突破对阳光电源GaN功率器件的应用具有重要价值。通过异质结构与界面工程实现的低比接触电阻(<5×10⁻⁵ Ω·cm²)，可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的开关性能和导通损耗。特别是在1500V高压系统中，优化的欧姆接触可提高器件可靠性，有助...