Lephe S contributed to conceptualization · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0

在柔性与透明电子领域，氧化锌绝缘栅场效应晶体管（ZnO IGFET）因其优异的材料特性而成为关键组件，其中包括3.37 eV的宽禁带，这有助于实现高电子迁移率、光学透明性以及与多种基底的良好兼容性。基于ZnO的IGFET在透明电子、柔性及可穿戴设备、平板显示器和高频应用等领域具有显著优势。此外，ZnO在热稳定性和化学稳定性方面表现优越，使其非常适合用于电力电子系统。本文采用并研究了一种成本效益高的器件制备技术——溶液法浸涂技术，该方法通过调节提拉速度、溶液浓度和粘度等关键参数，能够精确控制薄膜厚...

解读: 该溶液法ZnO/Al2O3异质结晶体管技术对阳光电源储能系统和光伏逆变器具有重要参考价值。其宽禁带(3.37eV)特性与公司SiC/GaN功率器件战略契合,9.25 cm²V⁻¹s⁻¹的高迁移率可提升ST系列PCS开关性能。溶液法低成本工艺为大面积柔性传感器集成提供思路,可应用于PowerTitan...