四值忆阻模拟器设计及电路实现

Design and Circuit Implementation of a Quad-Valued Memristor Simulator

杨万里付钱华蒋文波叶笑平 · 电子元件与材料 · 2025年1月 · Vol.44

为满足日益增长的信息存储密度与能效需求，提出一种四值忆阻器的数学模型，并开展系统仿真与实验验证。基于MATLAB对模型的伏安特性进行仿真，结果表明其具有四个稳定阻态，具备多值存储能力。据此设计并实现了相应的四值忆阻模拟器，通过硬件实验测试其在不同阻态下的电导变化，并与仿真结果对比。实验结果与模型分析高度一致，验证了该模型的准确性与可行性。

解读: 该四值忆阻器技术对阳光电源储能系统具有重要应用价值。其多值存储特性可应用于PowerTitan储能系统的电池管理系统（BMS），实现更高密度的状态参数存储与SOC/SOH数据记录，降低存储模块功耗。在ST系列储能变流器中，可用于构建低功耗非易失性参数存储单元，保存关键运行参数和故障记录。对于iSol...